脈沖激光沉積，就是將激光-于靶材上一個較小的面積，利用激光的高能量密度將部分靶材料蒸發甚至電離，使其能夠脫離靶材而向基底運動，進而在基底上沉積，從而形成薄膜的一種方式。 在眾多的薄膜制備方法中，脈沖激光沉積技術的應用較為廣泛，可用來制備金屬、半導體、氧化物、氮化物、碳化物、硼化物、硅化物、---物及---物等各種物質薄膜，甚至還用來制備一些難以合成的材料膜，如金剛石、立方氮化物膜等。
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脈沖激光沉積系統配置：
生長室，進樣室可選水平、垂直兩種靶臺可選激光加熱和輻射加熱兩種樣品臺可選，激光加熱高的溫度1200℃工藝氣路可以任意搭配配備高壓rheed，工作氣壓可達100pa可預留法蘭，用于leed，k-cell， e-beam等其它可選項如臭氧發生器，離子源，掩膜系統等。
沈陽鵬程真空技術有限責任公司生產、銷售脈沖激光沉積，我們為您分析該產品的以下信息。
1.靶: 數量6個，大小1-2英寸，被激光照射時可自動旋轉，靶的選擇可通過步進電機控制;
2.基板:采用適合于氧氣環境鉑金加熱片，大小2英寸，加熱溫度可達1200攝氏度，脈沖激光沉積裝置，溫度差<3%，加熱時基板可旋轉，工作環境的壓力可達300mtorr;
3.基板加熱電源，脈沖激光沉積裝置公司，高到1200度;
4.真空成膜室腔體:不銹鋼sus304材質，內表面電解拋光，本底真空度<5e-8 pa;
5.樣品搬運室:不銹鋼sus304材質，內表面電解拋光，本底真空度<5e-5 pa;
6.排氣系統:分子泵和干式機械泵;
7.閥門: 采用真空擋板閥;
8.真空檢測:真空計;
9.氣路兩套: 采用氣體流量計控制;
10.薄膜生長監控系統: 采用掃描型差分rheed;
11.監控系統:基板溫度的監控和設定，基板和靶的旋轉，靶的更換等;
12.各種電流導入及測溫端子;
13.其它各種構造:各種真空位移臺，脈沖激光沉積裝置報價，磁力傳輸桿，真空法蘭，真空密封墊圈，真空用波紋管等;
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