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主要用途：
用于納米級單層及多層功能膜、硬質膜、金屬膜、半導體膜、介質膜等新型薄膜材料的制備。廣泛應用于大專院校、科研院所的薄膜材料科研與小批量制備。
系統(tǒng)組成:
主要由真空室系統(tǒng)濺射室、靶及電源系統(tǒng)、樣品臺系統(tǒng)、真空抽氣及測量系統(tǒng)、氣路系統(tǒng)、控制系統(tǒng)、電控系統(tǒng)、計算機控制系統(tǒng)及輔助系統(tǒng)等組成。
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設備簡介
主要特點是設備體積小，結構簡單緊湊易于操作，對實驗室供電要求低；該系列設備主要部件采用進口或者國內優(yōu)的配置，從而提高設備的穩(wěn)定性；另外自主開發(fā)的智能操作系統(tǒng)在設備的運行重復性及安全性方面得到---地保障。 目前該系列有基本型、---型、---型、尊享型4種不同配置可供選擇，可以根據客戶的不同需求進行配置，比較靈活；標配4只φ2英寸永磁靶，4臺500w直流濺射電源，主要用來開發(fā)納米級單層及多層的金屬導電膜、半導體膜以及絕緣膜等。
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由于被濺射原子是與具有數(shù)十電子伏特能量的正離子交換動能后飛濺出來的，因而濺射出來的原子能量高，有利于提高沉積時原子的擴散能力，提高沉積組織的致密程度，使制出的薄膜與基片具有強的附著力。
濺射時，磁控濺射鍍膜設備，氣體被電離之后，氣體離子在電場作用下飛向接陰極的靶材，電子則飛向接地的壁腔和基片。這樣在低電壓和低氣壓下，產生的離子數(shù)目少，靶材濺射效率低；而在高電壓和高氣壓下，盡管可以產生較多的離子，但飛向基片的電子攜帶的能量高，容易使基片-甚至發(fā)生二次濺射，影響制膜。另外，靶材原子在飛向基片的過程中與氣體分子的碰撞幾率也大為增加，磁控濺射鍍膜設備報價，因而被散射到整個腔體，既會造成靶材浪費，又會在制備多層膜時造成各層的污染。
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