脈沖激光沉積，就是將激光-于靶材上一個較小的面積，利用激光的高能量密度將部分靶材料蒸發甚至電離，使其能夠脫離靶材而向基底運動，進而在基底上沉積，從而形成薄膜的一種方式。 在眾多的薄膜制備方法中，脈沖激光沉積技術的應用較為廣泛，可用來制備金屬、半導體、氧化物、氮化物、碳化物、硼化物、硅化物、-物及-物等各種物質薄膜，甚至還用來制備一些難以合成的材料膜，如金剛石、立方氮化物膜等。
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pld的系統設備簡單，相反，脈沖激光沉積設備，它的原理卻是非常復雜的物理現象。它涉及高能量脈沖輻射沖擊固體靶時，激光與物質之間的所有物理相互作用，亦包括等離子羽狀物的形成，其后已熔化的物質通過等離子羽狀物到達已加熱的基片表面的轉移，及膜的生成過程。所以，pld一般可以分為以下四個階段：
1. 激光輻射與靶的相互作用
2. 熔化物質的動態
3. 熔化物質在基片的沉積
4. 薄膜在基片表面的成核nucleation與生成。
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連續組成擴展(ccs )
常規沉積條件下的組合合成
組合合成是一種基于脈沖激光沉積的、組合材料合成的新型連續組成擴展(ccs) 方法。pld-ccs 系統能以連續的方式改變材料，沒有-使用掩模。可以在每一次循環中，以小于一個單分子層的速率，快速連續沉積每一種組份，其結果是基本等同于共沉積法。該法無需在沉積后進行退火促進內部擴散或結晶，對于生長溫度是關鍵參數的研究或者被沉積的材料或基片不適合高溫退火的情況是有用的。
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