1、負性光刻膠
主要有聚酸系(聚酮膠)和環(huán)化橡膠系兩大類,光阻劑光刻膠供應(yīng)商,前者以柯達公司的kpr為代表,后者以omr系列為代表。
2、正性光刻膠
主要以---醒為感光化臺物,光刻膠,以酚醛樹脂為基本材料。的有az-1350系列。正膠的主要優(yōu)點是分辨率高,缺點是靈敏度、耐刻蝕性和附著性等較差。
3、負性電子束光刻膠
為含有環(huán)---、乙烯基或環(huán)---物的聚合物。 的是cop膠,典型特性:靈敏度0.3~0.4μc/cm2 (加速電壓10kv時)、分辨率1.0um、 對比度0.95。---分辨率
的主要因素是光刻膠在顯影時的溶脹。
4、正性電子束光刻膠
主要為---、烯砜和---類這三種聚合物。的是pmma膠,典型特性:靈敏度40~ 80μc/cm2 (加速電壓20kv時)、分辨率0.1μm、 對比度2~3。
pmma膠的主要優(yōu)點是分辨率高。主要缺點是靈敏度低,此外在高溫下易流動,耐干法刻蝕性差。
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1959 年被發(fā)明以來就成為半導(dǎo)體工業(yè)的工藝材料之一。隨后光刻膠被改進運用到印制電路板的制造工藝,成為 pcb 生產(chǎn)的重要材料。
二十世紀 90 年代,光刻膠又被運用到平板顯示的加工制作,對平板顯示面板的大尺寸化、高精細化、彩色化起到了重要的推動作用。
在半導(dǎo)體制造業(yè)從微米級、亞微米級、深亞微米級進入到納米級水平的過程中,玻璃光刻膠哪里有,光刻膠也起著舉足輕重的作用。
總結(jié)來說,光刻膠產(chǎn)品種類多、性強,需要長期技術(shù)積累,對企業(yè)研發(fā)人員素質(zhì)、行業(yè)經(jīng)驗、技術(shù)儲備等都具有---要求,企業(yè)需要具備光化學(xué)、有機合成、高分子合成、精制提純、微量分析、性能評價等技術(shù),具有---的技術(shù)壁壘。
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硅片制造中,化學(xué)光刻膠,光刻膠的目的主要有兩個:1將掩模版圖形轉(zhuǎn)移到硅片表面頂層的光刻膠中;2在后續(xù)工藝中,保護下面的材料例如刻蝕或離子注入阻擋層。
分類
光刻膠的技術(shù)復(fù)雜,品種較多。根據(jù)其化學(xué)反應(yīng)機理和顯影原理,可分負性膠和正性膠兩類。光照后形成不可溶物質(zhì)的是負性膠;反之,對某些溶劑是不可溶的,經(jīng)光照后變成可溶物質(zhì)的即為正性膠。圖1是正性膠的顯影工藝與負性膠顯影工藝對比結(jié)果示意圖 [2] 。