劃分光刻膠的一個基本的類別是它的極性。光刻膠在---之后，被浸入顯影溶液中。在顯影過程中，正性光刻膠曝過光的區(qū)域溶解得要快得多。理想情況下，未---的區(qū)域保持不變。負性光刻膠正好相反，在顯影劑中未---的區(qū)域?qū)⑷芙猓?--的區(qū)域被保留。正性膠的分辨力往往是較好的，因此在ic制造中的應(yīng)用更為普及，但mems系統(tǒng)中，由于加工要求相對較低，光刻膠需求量大，負性膠仍有應(yīng)用市場。
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1、準備基質(zhì)：在涂布光阻劑之前，干光刻膠哪里有，硅片一般要進行處理，需要經(jīng)過脫水烘培蒸發(fā)掉硅片表面的水分，并涂上用來增加光刻膠與硅片表面附著能力的化合物以及硅二---。
2、涂布光阻劑photo resist：將硅片放在一個平整的金屬托盤上，托盤內(nèi)有小孔與真空管相連，光阻劑光刻膠哪里有，硅片就被吸在托盤上，這樣硅片就可以與托盤一起旋轉(zhuǎn)。
3、軟烘干：也稱前烘。在液態(tài)的光刻膠中，溶劑成分占65％－85％，甩膠之后雖然液態(tài)的光刻膠已經(jīng)成為固態(tài)的薄膜，但仍有10％－30％的溶劑，容易玷污灰塵。通過在較高溫度下進行烘培，可以使溶劑從光刻膠中揮發(fā)出來，從而降低了灰塵的玷污。
4、---：---過程中，光刻膠中的感光劑發(fā)生光化學反應(yīng)，從而使正膠的感光區(qū)、負膠的非感光區(qū)能夠溶解于顯影液中。正性光刻膠中的感光劑dq發(fā)生光化學反應(yīng)，變?yōu)?--，進一步水解為茚并羧酸，羧酸對堿性溶劑的溶解度比未感光的感光劑高出約100倍，同時還會促進酚醛樹脂的溶解。于是利用感光與未感光的光刻膠對堿性溶劑的不同溶解度，就可以進行掩膜圖形的轉(zhuǎn)移。
5、顯影development ：經(jīng)顯影，正膠的感光區(qū)、負膠的非感光區(qū)溶解于顯影液中，---后在光刻膠層中的潛在圖形，顯---便顯現(xiàn)出來，在光刻膠上形成三位圖形。為了提高分辨率，幾乎每一種光刻膠都有專門的顯影液，光刻膠哪里有，以---高的顯影效果。
6、硬烘干：也稱堅膜。顯---，硅片還要經(jīng)過一個高溫處理過程，主要作用是除去光刻膠中剩余的溶劑，增強光刻膠對硅片表面的附著力，同時提高光刻膠在刻蝕和離子注入過程中的抗蝕性和保護能力。
7、刻腐蝕或離子注入
8、去膠：刻蝕或離子注入之后，已經(jīng)不再需要光刻膠作保護層，可以將其除去，稱為去膠，分為濕法去膠和干法去膠，玻璃光刻膠哪里有，其中濕法去膠又分去膠和無機溶劑去膠。
光刻膠是微電子技術(shù)中微細圖形加工的關(guān)鍵材料之一，---是近年來-和---規(guī)模集成電路的發(fā)展，更是大---進了光刻膠的研究開發(fā)和應(yīng)用。印刷工業(yè)是光刻膠應(yīng)用的另一重要領(lǐng)域。
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