光刻是整個集成電路制造過程中耗時長、難度大的工藝，耗時占ic制造50%左右，成本約占ic生產(chǎn)成本的1/3。光刻膠是光刻過程重要的耗材，光刻膠的對光刻工藝有著重要影響。
光刻是將圖形由掩膜版上轉(zhuǎn)移到硅片上，為后續(xù)的刻蝕步驟作準備。在光刻過程中，需在硅片上涂一層光刻膠，經(jīng)紫外線---后，光刻膠的化學性質(zhì)發(fā)生變化，在通過顯---，被---的光刻膠將被去除，從而實現(xiàn)將電路圖形由掩膜版轉(zhuǎn)移到光刻膠上。再經(jīng)過刻蝕過程，實現(xiàn)電路圖形由光刻膠轉(zhuǎn)移到硅片上。在刻蝕過程中，光刻膠起防腐蝕的保護作用。
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光刻膠又稱光致抗蝕劑，是光刻工藝的關(guān)鍵化學品，玻璃光刻膠廠家，主要利用光化學反應將所需要的微細圖形從掩模版轉(zhuǎn)移到待加工基片上，被廣泛應用于光電信息產(chǎn)業(yè)的微細圖形線路的加工制作，下游主要用于集成電路、面板和分立器件的微細加工，玻璃光刻膠，同時在 led、光伏、磁頭及精密傳感器等制作過程中也有廣泛應用，是微細加工技術(shù)的關(guān)鍵性材料。光刻膠的主要成分為樹脂、單體、光引發(fā)劑及添加助劑四類。其中，樹脂約占 50%，單體約占35%，光引發(fā)劑及添加助劑約占15%。
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一般來說線寬的用正膠，線窄的用負膠，正性光刻膠比負性的精度要高，負膠顯---圖形有漲縮，玻璃光刻膠報價，負性膠---在2~3μm.，而正性膠的分辨力優(yōu)于0.5μm 導致影響精度，正性膠則無這方面的影響。雖然使用更薄的膠層厚度可以---負性膠的分辨率，但是薄負性膠會影響。同種厚度的正負膠，在對于抗?jié)穹ê透g性方面負膠---，正膠---。
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