號hy hy8015 hy8015t 輸 出 容 量 15kva 電 路 方 式 igbt/pwm脈沖寬度調制方式 調 節 方 式 按鍵式快速調節電壓、頻率 交 流 輸 入 單相220v 或3相380v/50hz,60hz 交 流

IV3Q12013T4Z- Gen3 1200V 13.5mΩ Automotive SiC MOSFET Features 3 rd Generation SiC MOSFET Technology with +15~+18V gate drive H

IV3Q12013T4Z- Gen3 1200V 13.5mΩ Automotive SiC MOSFET Features 3rd Generation SiC MOSFET Technology with +15~+18V gate dri

IV2Q12080T4Z – 1200V 80mΩ Gen2 Automotive SiC MOSFET Features 2nd Generation SiC MOSFET Technology with +15V~+18V gate dri

IV2Q12017T4Z – 1200V 17mΩ Gen2 Automotive SiC MOSFET Features 2nd Generation SiC MOSFET Technology with +18V gate drive

IV1Q12080T4Z – 1200V 80mΩ 車規級 SiC MOSFET 特點 高壓、低導通電阻 高速、寄生電容小 高工作結溫 快速恢復體二極管 開爾文連接驅動 AEC-Q101 認證通過 應用 車載充

該射頻電源采用3U半機箱設計，整機功率密度高。支持連續波、脈沖、多級脈沖的工作模式。可自定義配置脈沖信號，響應速度快，信號質量高。 應用特征 該電源主要應用對象包括：刻蝕、ICP、PECVD。

高功率電源是新一代射頻電源發生器，單臺輸出功率可達30kw。產品廣泛應用于lcd、光伏等行業。典型應用包括濺射、pecvd和表面處理 產品特征： 輸出功率高， 搭配12寸工業觸控屏，方便控制于顯示；自主研發的高功率電源匹配器，能實現快速匹配；具

是一種用于產生等離子體的裝置，通常被用于在真空環境中進行表面處理、材料改性、薄膜沉積等工藝，以及半導體刻蝕和薄膜設備的預處理反應和清洗等。與傳統等離子體源不同的是，rps通常不直接接觸要處理的表面，而是在一定距離之外產生等離子體，并將等離子體輸送到目標表面，

產品性能： 該匹配器能夠提供快速、準確的阻抗變換。可變電容由電機驅動，電機通過計算主板控制。 采用高速的匹配算法，可調的轉速，即使是高Q值的系統也能達到準確的匹配效果。 通過調整內部繼電器,調節不同檔位,達到匹配。 應用對象： 該雙頻匹配器主要應用