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logitechcp3000化學拋光設備能---的滿足腐蝕拋光溶劑,同樣也適用于腐蝕性較弱的chemlox拋光,如半導體晶片的背拋光。現在的電子器件對于晶片尺寸,表面平整度、平行度及厚度控制都有非常苛刻的控制要求,而cp3000化學拋光機,---是跟logitech的晶片處理系統配合使用作為z后一個步驟時,能完全達到這些控制標準。
精細的半導體晶片及其它電子、光電晶體的表面拋光都要求zui低的次級表面損傷,這就需要進行一道,腐蝕拋光工藝。這些工藝中使用的化學劑,如溴,------或酸腐蝕劑等,都有很強的化學腐蝕作用,這就需要操作的設備具有防腐蝕的功能并適合這些操作,而且安全。logitechcp3000化學拋光設備能---的滿足這些腐蝕拋光溶劑,同樣也適用于腐蝕性較弱的chemlox拋光,如半導體晶片的背拋光。現在的電子器件對于晶片尺寸,如表面平整度、平行度及厚度控制都有非常苛刻的控制要求,而cp3000化學拋光機,---是跟logitech的晶片處理系統配合使用作為zui后一個步驟時,能完全達到這些控制標準。
配置:機器由一個主驅動單元,大約410mm(16”)見方,一個防腐蝕的填料單元,一個廢料槽和一個遠程控制模塊組成,按需要這個模塊可以安放在通風框外。拋光盤下有一個可移除的pvc拖盤,用以保護主機內部,并且容易清洗。標準型機器有一個齒輪驅動裝置,樣品在行星齒輪內繞著中心齒輪轉動。偏心驅動版本的機型是同防chemlox化學腐蝕的半月夾手臂一起使用,這個版本的機器可以帶動樣品進行左右擺臂。同時還帶有一個自動填料裝置。偏心版本也可以接受三個位置的往復擺臂。
1、zui典型的應用是以下材料等在封裝及外延生長前的末級化學腐蝕拋光;
2、用于紅外探測和其它器件的碲鋅鎘,銻化銦;
3、薄的或超薄的半導體材料,如---,磷化銦和多種ⅲ-ⅴ族,ⅱ-ⅵ族化合物(asics等);
4、---鎘及類似的光電材料。
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