技術要求
3.1整體技術指標
3.1.1 功能與測試對象
*1功能
gbt模塊動態參數測試。
*2測試對象
被測器件igbt模塊動態參數。測試溫度范圍 tj=25°及125°。
3.1.2 igbt模塊動態測試參數及指標
測試單元對igbt模塊和frd的動態參數及其他參數的定義滿足iec60747-9以及iec60747-2。
以下參數的測試可以在不同的電壓等級、電流等級、溫度、機械壓力、回路寄生電感以及不同的驅動回路參數下進行。
5、感性負載
5.1 有效電感 l 100 200 500 1000 μh；
5.2 電流 ic 1000 1000 1000 500 a；
外部電感成陣列的內部連接。外部電感的h值傳給pc，檢修用igbt測試儀價格，以計算電流源的---，---脈寬到1000us。
6、標準的雙控制極驅動
6.1 門極電阻可人工預先設定如：2.5ω，5ω，檢修用igbt測試儀批發，10ω等；
6.2 開啟trun-on輸出電壓 vge+ ： +15v；
6.3 關斷trun-on輸出電壓 vge- ： -15v；
6.4 脈寬： 10 ~ 1000us 單脈沖、雙脈沖總時間；
6.5 電壓開關時間： < 50ns；
6.6 輸出內阻： < 0.5ω；
為何老化的元件必須盡早發現及盡早更換？
當功率元件老化時，檢修用igbt測試儀，元件的內阻在導通時---會加大，檢修用igbt測試儀廠家，因而使溫度升高，并使其效能降低。長期使用后若溫升過高時，會使元件在關閉時的漏電流急遽升高。(因漏電流是以溫度的二次方的曲線增加)，進而使半導體的接口產生大量崩潰，而將此元件完全燒毀。公司擁有一批長期從事自動控制與應用、計算技術與應用、微電子技術、電力電子技術方面的人才。當元件損毀時，會連帶將其驅動電路上的元件或與其并聯使用的功率元件一并損傷，所以，必須即早發現更換。
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