三、華科智源igbt測試儀系統特征：a：測量多種igbt、mos管 b：脈沖電流1200a，電壓5kv，變頻器用igbt測試儀，測試范圍廣；為提供穩定的大電流脈沖，采用了支撐電容補償及步進充電的方法，解決igbt進行vce飽和壓降及續流二極管壓降的檢測問題。c：脈沖寬度 50us~300usd：vce測量精度2mve：vce測量范圍>10vf：電腦圖形顯示界面g：智能保護被測量器件h：上位機攜帶數據庫功能i：mos igbt內部二極管壓降j : 一次測試igbt全部靜態參數k: 生成測試曲線iv曲線直觀看到igbt特性，變頻器用igbt測試儀批發，可以做失效分析以及故障定位l:可以進行不同曲線的對比，變頻器用igbt測試儀廠家，觀測同一批次產品的曲線狀態，或者不同廠家同一規格參數的曲線對比；
3、系統基本參數
3.1 電 壓 源：220vac ±10% ，50hz/60hz 20a rms；
3.2 加熱功能：室溫～150℃；
3.3 測試功能：可測試igbt模塊及frd；
3.4 環境溫度：25℃±15℃；
3.5 環境濕度：50% ±20% 相對濕度
4、動態測試基本配置
4.1 集電級電壓 vcc： 50 ~ 1000v；
4.2 集電極電流 ic： 50 ~ 1000a 感性負載；
4.3 電流持續時間 it： 10 ~ 1000 us 單個脈沖或雙脈沖的總時間； 4.4 脈 沖 模 式： 單脈沖和雙脈沖；
4.5 單電流脈沖的設置： vcc，ic，變頻器用igbt測試儀加工， 電感值自動計算脈寬；
4.6 雙電流脈沖的設置： vcc， ic， 電感值，間隙時間10到50us(脈寬自動計算)；
開啟qrr測試：第二個脈寬＝間隙時間，10~50us；
4.7 設備寄生電感 lint: < 65nh感性動態測試。
3、技術指標*3.1機臺可測試器件類型二極管、mosfet、igbt單管及模組*3.2機臺可測igbt項目及測試范圍vge(th)柵極閾值電壓vces集射極截止電壓ices集射極截止電流vce(sat)飽和導通壓降iges柵極漏電流vf二極管導通電壓可以測5000v，1600a以下的igbt模塊*3.3機臺可測mos項目vf、vdsat、igss、vgth、bvdss、rds(on)、gfs3.4測試項目測量范圍測試條件與精度*3.5 vge(th)柵極閾值電壓0.1～10vvge：0.1～10v±1%±0.01v；公司擁有一批長期從事自動控制與應用、計算技術與應用、微電子技術、電力電子技術方面的人才。解析度：0.01v集電極電流ic：10～50ma±1%±0.5ma；50～200ma±1%±1ma；200～1000ma±1%±2ma；
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