1. 確認(rèn)萬用表工作正常，量程置于200mv。
2.冷探針連接電壓表的正電極，熱探針與電壓表的負(fù)極相連。
3.用冷、熱探針接觸硅片一個(gè)邊沿不相連的兩個(gè)點(diǎn)，電壓表顯示這兩點(diǎn)間的電壓為正值，說明導(dǎo)電類型為p 型，刻蝕合格。相同的方法檢測(cè)另外三個(gè)邊沿的導(dǎo)電類型是否為p型。
4.如果經(jīng)過檢驗(yàn)，任何一個(gè)邊沿沒有刻蝕合格，則這一批硅片需要重新裝片，進(jìn)行刻蝕。
沈陽鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司以誠(chéng)信為首 ，服務(wù)為宗旨。公司生產(chǎn)、銷售icp刻蝕機(jī)，公司擁有---的銷售團(tuán)隊(duì)和經(jīng)營(yíng)理念。想要了解更多信息，趕快撥打圖片上的熱線電話！
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化學(xué)氣相沉積法生產(chǎn)金屬銥高溫涂層從20世紀(jì)80年代起，nasa 開始嘗試使用金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉積法制取出使用錸基銥作為涂層的復(fù)合噴管，并獲得了成功，這時(shí)化學(xué)氣相沉積法在生產(chǎn)金屬涂層領(lǐng)域才有了一定程度上的突破。
nasa 使用了c15h21iro6作為制取銥涂層的材料，進(jìn)口化學(xué)氣相沉積設(shè)備廠家，并利用 c15h21iro6的熱分解反應(yīng)進(jìn)行沉積。銥的沉積速度很快，可以達(dá)到3~20μm/h。 沉積厚度也達(dá)到了50μm，進(jìn)口化學(xué)氣相沉積設(shè)備，c15h21iro6的制取效率達(dá) 70%以上。
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等離子體內(nèi)的化學(xué)反應(yīng)
由于輝光放電過程中對(duì)反應(yīng)氣體的激勵(lì)主要是電子碰撞，進(jìn)口化學(xué)氣相沉積設(shè)備多少錢，因此等離子體內(nèi)的基元反應(yīng)多種多樣的，而且等離子體與固體表面的相互作用也非常復(fù)雜，這些都給pecvd技術(shù)制膜過程的機(jī)理研究增加---度。迄今為止，許多重要的反應(yīng)體系都是通過實(shí)驗(yàn)使工藝參數(shù)較優(yōu)化，進(jìn)口化學(xué)氣相沉積設(shè)備，從而獲得具有理想特性的薄膜。對(duì)基于pecvd技術(shù)的硅基薄膜的沉積而言，如果能夠深刻揭示其沉積機(jī)理，便可以在---材料優(yōu)良物性的前提下，大幅度提高硅基薄膜材料的沉積速率。
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