igbt動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)技術(shù)要求
1、設(shè)備概述
該設(shè)備用于功率半導(dǎo)體模塊igbt、frd、肖特基二極管等的動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試，以表征器件的動(dòng)態(tài)特性，通過測(cè)試夾具的連接，實(shí)現(xiàn)模塊的動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試。
2、需提供設(shè)備操作手冊(cè)、維修手冊(cè)、零部件清單、基礎(chǔ)圖、設(shè)備總圖、部件裝配圖、電氣原理圖、全機(jī)潤滑系統(tǒng)圖、電氣接線用、計(jì)算機(jī)控制程序軟件及其他---的技術(shù)文件，設(shè)備有通訊模塊必須提供通訊協(xié)議及其他---的技術(shù)文件，變頻器用igbt測(cè)試儀廠家，所有資料必須準(zhǔn)備正本、副本各一份，電子版一份；若元件的工作條件超過其參數(shù)數(shù)據(jù)，元件可能會(huì)---燒毀或造成性的損壞。正本、副本技術(shù)資料，應(yīng)至少有一份采用中文，變頻器用igbt測(cè)試儀加工，另一份技術(shù)資料可以是英文或中文。
為何老化的元件必須盡早發(fā)現(xiàn)及盡早更換？
當(dāng)功率元件老化時(shí)，變頻器用igbt測(cè)試儀，元件的內(nèi)阻在導(dǎo)通時(shí)---會(huì)加大，因而使溫度升高，并使其效能降低。長期使用后若溫升過高時(shí)，會(huì)使元件在關(guān)閉時(shí)的漏電流急遽升高。(因漏電流是以溫度的二次方的曲線增加)，進(jìn)而使半導(dǎo)體的接口產(chǎn)生大量崩潰，而將此元件完全燒毀。當(dāng)元件損毀時(shí)，變頻器用igbt測(cè)試儀---，會(huì)連帶將其驅(qū)動(dòng)電路上的元件或與其并聯(lián)使用的功率元件一并損傷，所以，必須即早發(fā)現(xiàn)更換。系統(tǒng)的測(cè)試原理符合相應(yīng)的，系統(tǒng)為獨(dú)立式單元，封閉式結(jié)構(gòu)，具有升級(jí)擴(kuò)展?jié)撃堋?/p>
技術(shù)要求
3.1整體技術(shù)指標(biāo)
3.1.1 功能與測(cè)試對(duì)象
*1功能
gbt模塊動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試。
*2測(cè)試對(duì)象
被測(cè)器件igbt模塊動(dòng)態(tài)參數(shù)。測(cè)試溫度范圍 tj=25°及125°。
3.1.2 igbt模塊動(dòng)態(tài)測(cè)試參數(shù)及指標(biāo)
測(cè)試單元對(duì)igbt模塊和frd的動(dòng)態(tài)參數(shù)及其他參數(shù)的定義滿足iec60747-9以及iec60747-2。
以下參數(shù)的測(cè)試可以在不同的電壓等級(jí)、電流等級(jí)、溫度、機(jī)械壓力、回路寄生電感以及不同的驅(qū)動(dòng)回路參數(shù)下進(jìn)行。
登錄后臺(tái)
