測試的igbt參數包括：ices漏流、bvces耐壓、igesf正向門極漏流、igesr反向門極漏流、vgeth門檻電壓／閾值、vgeon通態門極電壓、vcesat飽和壓降、icon通態集極漏流、vf二極管壓降、gfs跨導、rce導通電阻等全直流參數， 所有小電流指標-1%重復測試精度， 大電流指標-2%以內重復測試精度。且變流器由多個模塊組成，由于個體差異，大電流情況下的參數也會存在個體差異。
半導體元件全自動測試系統，可以元件在真正工作狀態下的電流及電壓，并測量重要參數的數據，再與原出廠指標比較，由此來判定元件的好壞或退化的百分比。每個電流模塊，變頻器用igbt測試儀批發，都具有獨立的供電系統，以便在測試時，提供內部電路及電池組充電之用；系統的測試原理符合相應的，系統為獨立式單元，封閉式結構，具有升級擴展潛能。 可選購外部高壓模塊，執行關閉狀態參數測試如：各項崩潰電壓與漏電流測量達2kv。
igbt動態參數測試系統技術要求
1、設備概述
該設備用于功率半導體模塊igbt、frd、肖特基二極管等的動態參數測試，以表征器件的動態特性，通過測試夾具的連接，實現模塊的動態參數測試。
2、需提供設備操作手冊、維修手冊、零部件清單、基礎圖、設備總圖、部件裝配圖、電氣原理圖、全機潤滑系統圖、電氣接線用、計算機控制程序軟件及其他-的技術文件，設備有通訊模塊必須提供通訊協議及其他-的技術文件，所有資料必須準備正本、副本各一份，電子版一份；半導體元器件生產廠——應用本公司測試系統可對半導體元器件生產線的成品進行全參數的測試、篩選、分析，以-出廠產品的合格率。正本、副本技術資料，應至少有一份采用中文，另一份技術資料可以是英文或中文。
2.7測試夾具1、控制方式：氣動控制2、控溫范圍：室溫—150℃ 室溫—125℃±1.0℃±3% 125—150℃±1.5℃±3%3、電源：交流50hz，變頻器用igbt測試儀-，220v，變頻器用igbt測試儀廠家，功率不大于1000w4、夾具能安裝不同規格的適配器，變頻器用igbt測試儀，以測試不同規格的器件，不同模塊需要配備不同的適配器，設備出廠時配備62mm封裝測試夾具、econopack3封裝測試夾具、34mm封裝測試夾具各一套，但需甲方提供適配器對應器件的外形圖；由于科技進步，電力電子裝置對輕薄短小及之要求,帶動mosfet及igbt的發展，尤其應用于電氣設備、光電、航天、鐵路、電力轉換。2.8環境要求環境溫度：15～35℃相對濕度：小于70%-壓力：86kpa～ 106kpa壓縮空氣：不小于0.4mpa電網電壓：ac220v±10%無-諧波，三線制電網頻率：50hz±1hz
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