13被測器件旁路開關(guān)被測安全接地開關(guān)，變頻器用igbt測試儀批發(fā)，設(shè)備不運行時，被測接地。?電流能力dc 50a?隔離耐壓15kv?響應(yīng)時間150ms?工作方式氣動控制?工作氣壓0.4mpa?工作溫度室溫～40℃?工作濕度<70%14工控機及操作系統(tǒng)用于控制及數(shù)據(jù)處理，采用定制化系統(tǒng)，主要技術(shù)參數(shù)要求如下：?機箱：4μ 15槽上架式機箱；?支持atx母板；?cpμ：intel雙核；?主板：研華simb；?硬盤：1tb；內(nèi)存4g；?igbt模塊vce-ic特線單管，vcesat隨電流變大而增大。3個5.25”和1個3.5”外部驅(qū)動器；?集成vga顯示接口、4個pci接口、6個串口、6個μsb接口等。?西門子plc邏輯控制
igbt測試裝置技術(shù)要求1設(shè)備功能igbt模塊檢測裝置是用于igbt的靜態(tài)參數(shù)測試。系統(tǒng)的測試原理符合相應(yīng)的，系統(tǒng)為獨立式單元，封閉式結(jié)構(gòu)，具有升級擴展?jié)撃堋gbt模塊檢測裝置是用于igbt的靜態(tài)參數(shù)測試，變頻器用igbt測試儀，在igbt的檢測中，變頻器用igbt測試儀廠家，采用大電流脈沖對igbt進行vce飽和壓降及續(xù)流二極管壓降的檢測。為提供穩(wěn)定的大電流脈沖，采用了支撐電容補償及步進充電的方法，解決igbt進行vce飽和壓降及續(xù)流二極管壓降的檢測問題。等領(lǐng)域，使半導(dǎo)體開發(fā)---在市場需求下，對大功率元件的發(fā)展技術(shù)，持續(xù)在突破。
3igbt飽和壓降/frd正向?qū)▔航禍y試電路 通態(tài)壓降測試電路?高壓充電電源：10~1500v連續(xù)可調(diào)?支撐電容：額定電壓2kv?飽和通態(tài)壓降電壓探頭精度要求：0.1～10v±3%±0.01v?柵極電壓輸出要求：5～25v±1%±0.01v ?集電極電流測試設(shè)備精度： 200～500a±3%±1a；500～1000a±2%±2a?測試脈沖寬度：0.1~1ms可設(shè)定4柵極漏電流測試電路 柵極漏電流測試電路?可調(diào)電源：±1ｖ～±40v±2%±0.1v；?小電流測量設(shè)備精度：0.01～10μa±2%±0.005μa?transistor)及triac可控硅、scr晶閘管、gto等各型閘流體與二極管(diode)等，其工作電流與電壓乘積若大于1kw以上，均可屬于大功率的范圍。柵極電壓vge：±1ｖ～40v±1%±0.1v；?脈沖時間：40~100ms可設(shè)定
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