304蝕刻不銹鋼帶的介紹方法
304蝕刻不銹鋼帶日本于2003年開端研制的面向市場的200系列不銹鋼，當前的首要出產廠家為ntk，其產物按含鎳量的分歧分為ntk-d10，ntk-d9和ntk-d7等商標。ntk-d7是一種含鎳量比304低、含錳量比304高并含銅的奧氏體不銹鋼。因為錳的很多參加，鎳含量降低到2%~4%，然則，因為鉻含量為16%~18%，能包管不銹鋼應有的耐蝕性，具有和304-一樣的機械功能和耐侵蝕性。ntk-d7的大問題是廢鋼治理。因為ntk-d7鋼沒有磁性，在廢鋼收受接管時很難與304分隔。因而，早年期的運用到廢鋼的分類必需樹立1套科學的系統治理系統，以處理高錳、高磷、含銅廢鋼的再生問題。
興之揚316不銹鋼網片小編給大家介紹什么是二氧化硅的濕式蝕刻：
在微電子組件制作應用中，二氧化硅的濕式蝕刻通常采用hf溶液加以進行(5)。而二氧化硅可與室溫的hf溶液進行反應，但卻不會蝕刻硅基材及復晶硅。反應式如下：sio2+6hf=h2+sif6+2h2o
由于hf對二氧化硅的蝕刻速率相當高，在制程上很難控制，因此在實際應用上都是使用稀釋后的hf溶液，或是添加nh4f作為緩沖劑的混合液，來進行二氧化硅的蝕刻。nh4f的加入可避免---物離子的消耗，以保持穩定的蝕刻速率。而無添加緩沖劑hf蝕刻溶液常造成光阻的剝離。典型的緩沖氧化硅蝕刻液(boe:bufferoxideetcher)(體積比6:1之nh4f(40%)與hf(49%))對于高溫成長氧化層的蝕刻速率約為1000?/min。
在半導體制程中，二氧化硅的形成方式可分為熱氧化及化學氣相沉積等方式；而所采用的二氧化硅除了純二氧化硅外，尚有含有雜質的二氧化硅如bpsg等。然而由于這些以不同方式成長或不同成份的二氧化硅，其組成或是結構并不完全相同，因此hf溶液對于這些二氧化硅的蝕刻速率也會不同。但一般而言，高溫熱成長的氧化層較以化學氣相沉積方式之氧化層蝕刻速率為慢，因其組成結構較為致密。
興之揚吸塵器不銹鋼網片小編給大家介紹什么是鋁的濕式蝕刻:
鋁或鋁合金的濕式蝕刻主要是利用加熱的磷酸、hno3、---及水的混合溶液加以進行(1)。典型的比例為80%的磷酸、5%的hno3、5%的---及10%的水。而一般加熱的溫度約在35°c-45°c左右，溫度越高蝕刻速率越快，一般而言蝕刻速率約為1000-3000?/min，而溶液的組成比例、不同的溫度及蝕刻過程中攪拌與否都會影響到蝕刻的速率。
蝕刻反應的機制是藉由hno3將鋁氧化成為氧化鋁，接著再利用磷酸將氧化鋁予以溶解去除，如此反復進行以達蝕刻的效果。
在濕式蝕刻鋁的同時會有氫氣泡的產生，這些氣泡會附著在鋁的表面，而局部地抑制蝕刻的進行，造成蝕刻的不均勻性，可在蝕刻過程中予于攪動或添加催化劑降低接口張力以避免這種問題發生。
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