在開關過程中，緩沖電路的功能是降低有源開關的負荷。降載網絡也是用來---開通過程或關斷過程的，兩者可以結合使用。下面以半橋電路為例，分析其工作原理。
圖1a給出了無降載開關網絡的硬開關原理圖。本例中換流路徑中的雜散電感(包括vd1和vs1的雜散電感)是90nh。電流從vd1到vs1的換流過程中，其相應的峰值損耗功率大約為10kw。
圖1b給出了同一電路帶有開通緩沖電路的原理圖。當vs1開通時，比如在剛開始換流時，lsnubber幾乎承受全部電壓，而vs1集-射極電壓uce迅速下降，達到一個較低的值。lsnubber同時---了換流過程中的電流變化率，從而減少vs1的開關損耗。但rld網絡構成的緩沖電路會產生額外的損耗，因此總體效率并不會增加。
igbt(insulatedgatebipolartransistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由bjt(雙極型三極管)和mos(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件，兼有mosfet的高輸入阻抗和gtr的低導通壓降兩方面的優點。gtr飽和壓降低，大功率靜態igbt靜態測試儀，載流密度大，但驅動電流較大；mosfet驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。igbt綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600v及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。.國產型號igbtigbt損壞照片如何測試igbt，igbt是變頻器中非常重要的功率器件，
左邊所示為一個n溝道增強型絕緣柵雙極晶體管結構， n+區稱為源區，附于其上的電極稱為源極即發射極e。n基極稱為漏區。器件的控制區為柵區，附于其上的電極稱為柵極即門極g。溝道在緊靠柵區邊界形成。在c、e兩極之間的p型區包括p+和p-區溝道在該區域形成，稱為亞溝道區subchannel region。而在漏區另一側的p+區稱為漏注入區drain injector，它是igbt特有的功能區，與漏區和亞溝道區一起形成pnp雙極晶體管，起發射極的作用，向漏極注入空穴，進行導電調制，以降低器件的通態電壓。附于漏注入區上的電極稱為漏極即集電極c。
igbt的開關作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給pnp原來為npn晶體管提供基極電流，使igbt導通。反之，加反向門極電壓消除溝道，切斷基極電流，使igbt關斷。igbt的驅動方法和mosfet基本相同，只需控制輸入極n-溝道mosfet，所以具有高輸入阻抗特性。當mosfet的溝道形成后，從p+基極注入到n-層的空穴少子，對n-層進行電導調制，減小n-層的電阻，使igbt在高電壓時，也具有低的通態電壓。
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