劃分光刻膠的一個基本的類別是它的極性。光刻膠在---之后，被浸入顯影溶液中。在顯影過程中，正性光刻膠曝過光的區域溶解得要快得多。理想情況下，未---的區域保持不變。負性光刻膠正好相反，在顯影劑中未---的區域將溶解，而---的區域被保留。正性膠的分辨力往往是較好的，負光阻光刻膠生產廠家，因此在ic制造中的應用更為普及，但mems系統中，由于加工要求相對較低，光刻膠需求量大，負性膠仍有應用市場。
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主要用于半導體圖形化工藝，是半導體制造過程中的重要步驟。光刻工藝利用化學反應原理把事先制備在掩模上的圖形轉印到晶圓，完成工藝的設備光刻機和光刻膠都是占半導體芯片工廠資產的大頭。
在目前比較主流的半導體制造工藝中，一般需要40 步以上獨立的光刻步驟，貫穿了半導體制造的整個流程，光刻工藝的-程度決定了半導體制造工藝的-程度。光刻過程中所用到的光刻機是半導體制造中的-設備。目前，asml 的nxe3400b售價在一億歐元以上，玻璃光刻膠生產廠家，-一架f35 -。
按---波長，光刻膠可分為紫外300~450 nm光刻膠、深紫外160~280 nm光刻膠、極紫外euv，13.5 nm光刻膠、電子束光刻膠、離子束光刻膠、x射線光刻膠等。按照應用領域的不同，光刻膠又可以分為印刷電路板pcb用光刻膠、液晶顯示lcd用光刻膠、半導體用光刻膠和其他用途光刻膠。pcb光刻膠技術壁壘相對其他兩類較低，而半導體光刻膠代表著光刻膠技術-水平。
光刻膠必須滿足幾個硬性指標要求：高靈敏度，高對比度，好的蝕刻阻抗性，高分辨力，易于處理，高純度，長壽命周期，電子光刻膠生產廠家，低溶解度，低成本和比較高的玻璃化轉換溫度tg。主要的兩個性能是靈敏度和分辨力。
感光膠的主要成分是樹脂或基體材料、感光化合物以及可控制光刻膠機械性能并使其保持液體狀態的溶劑。樹脂在---過程中改變分子結構。感光化合物控制樹脂定相的化學反應速度。溶劑使得膠能在圓片上旋轉擦敷并形成薄瞙。沒有感光化合物的光刻膠稱為單成分膠或單成分系統，光刻膠生產廠家，有一種感光劑的情形下，稱為二成分系統。因為溶劑和其他添加物不與膠的感光反應發生直接關系，它們不計入膠的成分。
在---過程中，正性膠通過感光化學反應，切斷樹脂聚合體主鏈和從鏈之間的聯系，達到削弱聚合體的目的，所以---后的光刻膠在隨后顯影處理中溶解度升高。---后的光刻膠溶解速度幾乎是未---的光刻膠溶解速度的10倍。而負性膠，在感光反應過程中主鏈的隨機十字鏈接更為緊密，并且從鏈下墜物增長，所以聚合體的溶解度降低。見正性膠在---區間顯影，負性膠則相反。負性膠由于---區間得到保留，漫射形成的輪廓使顯---的圖像為上寬下窄的圖像，而正性膠相反，為下寬上窄的圖像。
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