目前基于
fdm
技術(shù)的低端
3d
打印機(jī)價(jià)格在
5000
元左右，由于價(jià)格低廉，
耗材成本低，受到較好的歡迎
，
但是它們打印的表面非常粗糙，提高表面的方
法就是降低打印的層厚，
而降低層厚會(huì)使打印時(shí)間-增加，半自動(dòng)手動(dòng)拉絲機(jī)，
一般低端
3d
打印機(jī)低的粗
糙度為
0.1mm
，但打印一個(gè)普通的產(chǎn)品至少要
7
小時(shí)。---
3d
打印機(jī)雖然打印表面
較好，粗糙度能達(dá)到
0.03mm
，但便宜的也要
4
萬以上
form1
，而且耗材采用光敏
樹脂，光敏樹脂價(jià)格為
1500
元
/kg
，普通人-無法承受。許多網(wǎng)友都在抱怨這個(gè)問題。
為了讓低端
3d
打印機(jī)打印的東西也能達(dá)到---
3d
打印機(jī)的打印表面，
我們提出廉價(jià)
的解決方案
---3d
拋光機(jī)。
目前我們的簡(jiǎn)易版
3d
拋光機(jī)價(jià)格在
300
元以內(nèi)，
在省錢的同時(shí)，手動(dòng)拉絲機(jī)，
獲得理想的表面光滑度。
在平面研磨拋光機(jī)選中聚合物溶劑的時(shí)候，除了使用單一的溶劑進(jìn)行溶解之外，還會(huì)使用混合溶劑進(jìn)行，混合溶劑會(huì)對(duì)聚合物的溶解的能力會(huì)比單一的溶劑要好，甚至是兩種非溶劑的混合物也會(huì)對(duì)某一種聚合物有比較好的溶解能力。
在恒溫恒壓的情況下， a高分子溶液主要是熱力學(xué)的平衡體系，主要是可以用于力學(xué)方法來進(jìn)行研究的。
在平面研磨拋光機(jī)選中聚合物溶劑的時(shí)候，溶解的過程是自發(fā)所進(jìn)行的一個(gè)-條件，溶解的過程中會(huì)存在三種不同的分子之間的作用能，兩種的作用是阻止溶解的過程的進(jìn)行。除了使用單一的溶劑進(jìn)行溶解之外，還會(huì)使用混合溶劑進(jìn)行，混合溶劑會(huì)對(duì)聚合物的溶解的能力會(huì)比單一的溶劑要好，甚至是兩種非溶劑的混合物也會(huì)對(duì)某一種聚合物有比較好的溶解能力。
b溶劑化的規(guī)則主要是極性定向，這個(gè)規(guī)則主要是表面含有極性基團(tuán)的聚合物以及溶劑之間的溶解性也會(huì)一定的內(nèi)在的聯(lián)系。 溶劑的溶解能力，它是選擇溶劑的一個(gè)首要條件，還需要考慮到必須具有一定的化學(xué)惰性，砂紙手動(dòng)拉絲機(jī)，不能與聚合物起作用，具有難燃毒性腐蝕性小等的問題。 c相似相容的規(guī)則，從長(zhǎng)期研究小分子的物質(zhì)溶解的時(shí)候所總結(jié)出來的規(guī)律來看，對(duì)于高分子的溶液是比較適用的，其組成和結(jié)構(gòu)是比較相似的物質(zhì)相互之間所出現(xiàn)的熔合，極性大的溶質(zhì)會(huì)溶于極性大的溶劑中，相反，極性小的就會(huì)溶于極性小的溶劑中。
隨著半導(dǎo)體工業(yè)飛速發(fā)展，
電子器件尺寸縮小，
要求晶片表面平整度達(dá)到納
米級(jí)。
傳統(tǒng)的平坦化技術(shù)，
僅僅能夠?qū)崿F(xiàn)局部平坦化，
但是當(dāng)小特征尺寸達(dá)到
0.25
μ
m
以下時(shí)，
必須進(jìn)行全局平坦化。
常見的傳統(tǒng)平面化技術(shù)很多。
如熱流法，
旋轉(zhuǎn)玻璃法，回蝕法，電子環(huán)繞共振法，選擇淀積，低壓
cvd
，等離子增強(qiáng)
cvd，
淀積
-
腐蝕
-
淀積法等。
但它們都屬于局部平面化工藝，
不能做到全局平面化。
90
年代興起的化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)
cmp
則從加工性能和速度上同時(shí)滿足硅片圖形
加工的要求，其也是目前可以實(shí)現(xiàn)全局平坦化的技術(shù)
[1]
。
2.
基本原理
2.1 cmp
定義
cmp
就是用化學(xué)腐蝕和機(jī)械力對(duì)加工過程中的硅晶圓或其它襯底材料進(jìn)行
平滑處理。
2.2 cmp
工作原理
[2]
如圖
1
，銅板手動(dòng)拉絲機(jī)，
將硅片固定在拋光頭的下面，
將拋光墊放置在研磨盤上，
拋光時(shí)，
旋轉(zhuǎn)的拋光頭以一定的壓力壓在旋轉(zhuǎn)的拋光墊上，
由亞微米或納米磨粒和化學(xué)溶
液組成的研磨液在硅片表面和拋光墊之間流動(dòng)，
然后研磨液在拋光墊的傳輸和離
心力的作用下，均勻分布其上，在硅片和拋光墊之間形成一層研磨液液體薄膜。
研磨液中的化學(xué)成分與硅片表面材料產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)，
將不溶的物質(zhì)轉(zhuǎn)化為易溶物
質(zhì)，
或者將硬度高的物質(zhì)進(jìn)行軟化，
然后通過磨粒的微機(jī)械摩擦作用將這些化學(xué)
反應(yīng)物從硅片表面去除，
溶入流動(dòng)的液體中帶走，
即在化學(xué)去膜和機(jī)械去膜的交
替過程中實(shí)現(xiàn)平坦化的目的。其反應(yīng)分為兩個(gè)過程
[3]
：
化學(xué)過程：
研磨液中的化學(xué)品和硅片表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，
生成比較容易去除
的物質(zhì)；
物理過程：
研磨液中的磨粒和硅片表面材料發(fā)生機(jī)械物理摩擦，
去除化學(xué)反
應(yīng)生成的物質(zhì)。
2.3 cmp
主要參數(shù)
[4]
(1)
平均磨除率
(mrr)
在設(shè)定時(shí)間內(nèi)磨除材料的厚度是工業(yè)生產(chǎn)所需要的。
(2)cmp
平整度與均勻性
平整度是硅片某處
cmp
前后臺(tái)階高度之差占
cmp
之前
臺(tái)階高度的百分比。
(3)
選擇比
在
cmp
中，對(duì)不同材料的拋-率是影響硅片平整性和均勻性的一
個(gè)重要因素。
(4)
表面缺陷
cmp
工藝造成的硅片表面缺陷一般包括擦傷或溝、凹陷、侵蝕、
殘留物和顆粒污染。
登錄后臺(tái)
