技術(shù)指標(biāo)：
1. 真空室的---真空度達(dá)5*10-5pa，漏率為關(guān)機(jī)12小時≤5pa
2. 真空腔內(nèi)配有集約樣品臺一套，杭州鈣鈦礦鍍膜設(shè)備，配有大擋板和16套小擋板，手動
控制，開關(guān)方便快捷，每個小擋板擋兩塊30*30mm樣片
3. 蒸發(fā)源共14套，其中10套有機(jī)蒸發(fā)源，4套金屬蒸發(fā)源�？販�
精度±1℃，可以實現(xiàn)溫度或電流補(bǔ)償實現(xiàn)蒸鍍速率穩(wěn)定的功能
4. 金屬蒸發(fā)源配4臺一帶一1000w可控硅調(diào)壓電源，通過銅電極
連接，兩端可夾鎢絞絲或者鉭舟，鎢絞絲可以蒸鍍絲狀或者大顆粒
材料，鉭舟可以蒸鍍粉末狀材料，蒸發(fā)源采用陶瓷全密封，避免交
叉污染
5. 有機(jī)蒸發(fā)源配10臺一帶一溫控電源，有機(jī)源溫度為室溫-500度，
可以根據(jù)材料及用戶需求自行調(diào)節(jié)
6. 樣品臺具有旋轉(zhuǎn)、升降功能，可在線更換掩膜板一次，可同時裝
載30mm*30mm樣品16塊。本產(chǎn)品每兩個樣品都配有小擋板，
并且通過plc控制步進(jìn)電機(jī)對每個小擋板做16個定位，使機(jī)械手
推拉小擋板，樣品與蒸發(fā)源之間的間距為200-300mm
以上內(nèi)容由沈陽鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司為您提供，希望對同行業(yè)的朋友有所幫助！
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主要用途：
用于納米級單層及多層金屬膜、 半導(dǎo)體膜等新材料的制備。廣泛應(yīng)用 于大專院校的薄膜材料科研。
系統(tǒng)組成:
由真空室、蒸發(fā)源、樣品臺、 真空測量、膜厚測試、電控系統(tǒng)組成。
技術(shù)指標(biāo)：
---真空度5.0×10-5pa，系統(tǒng)漏率：1×10-7pal/s； 恢復(fù)真空時間：40分鐘可達(dá)6.6×10 pa
真空室：d形真空室，尺寸350× 380mm
樣品臺：尺寸為4英寸厚度3mm的平面樣品；
電極：數(shù)量：4支水冷結(jié)構(gòu)；直徑φ20㎜
樣品基片:，基片在鍍膜位置實現(xiàn)自轉(zhuǎn)�；臏囟葟氖覝刂�600℃
4套擋板系統(tǒng)：基片擋板與源擋板；靶擋板共有3套，鈣鈦礦鍍膜設(shè)備， 樣品擋板１套
石英晶振膜厚控制儀：膜厚測量范圍0-999999?
可選分子泵組或者低溫泵組合渦旋干泵抽氣系統(tǒng)。
歡迎撥打圖片上的熱線電話或關(guān)注沈陽鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司！
通過加熱蒸發(fā)某種物質(zhì)使其沉積在固體表面，石家莊鈣鈦礦鍍膜設(shè)備，稱為熱蒸發(fā)鍍膜，熱蒸發(fā)鍍膜技術(shù)是歷史悠久的pvd鍍膜技術(shù)之一。熱蒸發(fā)鍍膜機(jī)一般主要用于蒸發(fā)cd、pb、ag、al、cu、cr、au、ni等材料。
在高真空下，采用電阻式蒸發(fā)原理，利用大電流在蒸發(fā)舟上加熱所蒸鍍材料，使其在高溫下熔化蒸發(fā)，從而在樣品上沉積所需要的薄膜。通過調(diào)節(jié)所加電流的大小，可以方便的控制鍍膜材料的蒸發(fā)速率。通常適合熔點低于1500oc的金屬薄膜的制備。
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