工業(yè)ct是在射線檢測(cè)的基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的，其基本原理是：讓一束x射線投射在物體上，通過(guò)物體對(duì)x射線的吸收多次投影便可獲得物體內(nèi)部的物質(zhì)分布信息。
當(dāng)強(qiáng)度為i0的一個(gè)窄束x射線穿過(guò)吸收系數(shù)為的物體時(shí)，其強(qiáng)度滿足指數(shù)衰減關(guān)系：
式中為x射線所穿過(guò)物質(zhì)層厚度。在實(shí)際情況中，射線ct檢測(cè)，所研究的物體往往不是由單一成分組成的，當(dāng)物體由若干個(gè)不同成分組成時(shí)，物體內(nèi)部各處的穿透率也將可能不同。
面探測(cè)器主要有三種類(lèi)型：高分辨半導(dǎo)體芯片、平板探測(cè)器和圖像增強(qiáng)器。半導(dǎo)體芯片又分為ccd和cmos。ccd對(duì)x射線不敏感，表面還要覆蓋一層閃爍體將x射線轉(zhuǎn)換成ccd敏感的可見(jiàn)光。
半導(dǎo)體芯片具有小的像素尺寸和大的探測(cè)單元數(shù)，像素尺寸可小到10微米左右，探測(cè)單元數(shù)量取決于硅單晶的大尺寸，射線ct檢測(cè)，一般直徑在50mm以上。因?yàn)樘綔y(cè)單元很小，信號(hào)幅度也很小，為了增大測(cè)量信號(hào)可以將若干探測(cè)單元合并。
x射線管的設(shè)計(jì)有兩種形式：開(kāi)放管和閉合管。開(kāi)放管顧名思義是開(kāi)放式的，“這種技術(shù)要求在射線管內(nèi)建立一定的真空度，利用兩級(jí)真空泵不間斷地運(yùn)行來(lái)維持真空。”在這個(gè)過(guò)程中，射線ct檢測(cè)價(jià)格，大量的熱量從射線管被轉(zhuǎn)移到工作艙內(nèi)。在某型情況下，工作艙內(nèi)的溫度甚至可-60~70℃。而在閉合管上，熱量由于-閉在管內(nèi)，射線ct檢測(cè)方案，不容易轉(zhuǎn)移到工作艙內(nèi)。而進(jìn)一步配以合適的冷卻系統(tǒng)根據(jù)功率高低采用空冷或液冷，這一問(wèn)題會(huì)得到較好的解決。所以
當(dāng)選擇x射線管形式時(shí)，要注意幾個(gè)方面的因素，其中一個(gè)便是射線管的熱量傳導(dǎo)。
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