刻蝕工藝是半導體制造工藝中的關鍵步驟，對于器件的電學性能十分重要。其利用化 學或物理方法有選擇地從硅片表面去除不需要的材料的過程，目標是在涂膠的硅片上正確地 掩模圖形。如果刻蝕過程中出現失誤，將造成難以恢復的硅片報廢，因此必須進行嚴格 的工藝流程控制。
化學清洗槽也叫酸槽/化學槽，主要有hf,,h2so4,h2o2，hcl等酸堿液體按一定比例配置，目的是為了去除雜質，去離子,去原子，后還有di清洗。ipa是，就是工業酒精，是用來clean機臺或parts的，是為了減少partical的。
半導體晶圓制造設備可以分為刻蝕、薄膜沉積、光刻、檢測、離子注入、熱處理等品類，其中刻蝕設備、薄膜沉積設備、光刻設備是集成電路前道生產工藝中的三類設備。根據gartner統計，2021年刻蝕設備、薄膜沉積和光刻設備分別占晶圓制造設備價值量約21.59%、19.19%和18.52%。刻蝕設備已經成為半導體晶圓制造中的關鍵設備，在半導體制造中的重要性-。
腐蝕機對功率半導體器件中半導體芯片進行腐蝕加工均采用人工操作，即先人工將半導體芯片除臺面外的兩面涂黑蠟保護，再人工將半導體芯片臺面進行腐蝕、清洗，人工用有機物去除黑蠟、清洗、烘干。現有人工對半導體芯片臺面進行腐蝕不僅存在手工涂蠟浪費人力及有機物的問題，而且還存在不能在保持芯片干凈的情況下直接進行烘干的問題。
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