關于低溫等離子安全安全的注意事項： 1.低溫等離子表面處理設備屬于高壓設備，離子刻蝕設備沒有知識的任何人不得打開機箱進行設備維護。 2. 未經廠家-指導，不得隨意拆卸噴頭和主機。 3. 主機地線必須與地地線牢固連接。 4、供給設備的氣源水必須經過清潔過濾。
規格通用功能是指封裝的尺寸、形狀、引腳數量、間距、長度等有標準規格，既便于加工，又便于與印刷電路板相配合，相關的生產線及生產設備都具有通用性。
反應離子刻蝕原理是將通入刻蝕室的工藝氣體分子解離，產生等離子體。一方面由等離子體中的部分活性基團與被刻蝕材料表面發生化學反應，另一方面由于射頻自偏壓作用，晶片清洗臺，等離子體中的正離子對被刻蝕材料，表面進行物理轟擊，晶片，從而以物理化學相結合的方法達到材料表面刻蝕的目的。
清洗槽也叫酸槽/化學槽，主要有hf，h2so4，常熟晶片清洗機，h2o2，hcl等酸堿液體按一定比例配置，目的是為了去除雜質，去離子，去原子，后還有di清洗。ipa是，就是工業酒精，是用來clean機臺或parts的，晶片清洗，是為了減少partical的。
刻蝕機作為重要的半導體加工設備之一，在半導體晶圓廠資本開支中占比較高。目前來看，刻蝕機資本開支占比達到22%，已經與光刻機同處在前梯隊，而光刻機、刻蝕機、薄膜沉積設備三大設備合計占比-64%。近年來刻蝕機市場規模有-提升。濕法刻蝕由于可是方向的不可控性，導致其在高制程很容易降低線寬寬度，甚至破壞線路本身設計，導致生產芯片品質變差。
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