微納光刻加工廠——廣東省科學院半導(dǎo)體研究所是廣東省科學院下屬骨干研究院所之一，主要-半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的應(yīng)用技術(shù)研究，-重大技術(shù)應(yīng)用的基礎(chǔ)研究，立足于廣東省經(jīng)濟社會發(fā)展的實際需要，從事電子信息、半導(dǎo)體領(lǐng)域應(yīng)用基礎(chǔ)性、關(guān)鍵共性技術(shù)研究，以及行業(yè)應(yīng)用技術(shù)開發(fā)。
光刻其實就是一個圖形化轉(zhuǎn)印的過程。
光聚合型光刻膠采用烯類單體，在光作用下生成自由基，進一步引發(fā)單體聚合，較后生成聚合物；光分解型光刻膠，采用含有-醌類化合物(dqn)材料作為感光劑，其經(jīng)光照后，發(fā)生光分解反應(yīng)，可以制成正性光刻膠；光交聯(lián)型光刻膠采用-月桂酸酯等作為光敏材料，在光的作用下，形成一種不溶性的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，而起到抗蝕作用，可以制成負性光刻膠。
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微納光刻加工廠——廣東省科學院半導(dǎo)體研究所是廣東省科學院下屬骨干研究院所之一，主要-半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的應(yīng)用技術(shù)研究，-重大技術(shù)應(yīng)用的基礎(chǔ)研究，立足于廣東省經(jīng)濟社會發(fā)展的實際需要，從事電子信息、半導(dǎo)體領(lǐng)域應(yīng)用基礎(chǔ)性、關(guān)鍵共性技術(shù)研究，以及行業(yè)應(yīng)用技術(shù)開發(fā)。
掩模版：一塊在內(nèi)部刻著線路設(shè)計圖的玻璃板，貴的要數(shù)十萬美元。
掩膜臺：承載掩模版運動的設(shè)備，運動控制精度是nm級的。
物鏡：物鏡由20多塊鏡片組成，主要作用是把掩膜版上的電路圖按比例縮小，再被激光映射的硅片上，并且物鏡還要補償各種光學誤差。技術(shù)難度就在于物鏡的設(shè)計難度大，精度的要求高。
硅片：用硅晶制成的圓片。硅片有多種尺寸，尺寸越大，產(chǎn)率越高。題外話，由于硅片是圓的，硅片光刻芯片實驗室，所以需要在硅片上剪一個缺口來確認硅片的坐標系，根據(jù)缺口的形狀不同分為兩種，分別叫flat、notch。
內(nèi)部封閉框架、減振器：將工作臺與外部環(huán)境隔離，保持水平，減少外界振動干擾，并維持穩(wěn)定的溫度、壓力。
光刻機跟照相機差不多，它的底片，是涂滿光敏膠的硅片。電路圖案經(jīng)光刻機，縮微投射到底片，吉林光刻芯片實驗室，蝕刻掉一部分膠，露出硅面做化學處理。制造芯片，要重復(fù)幾十遍這個過程。
位于光刻機中心的鏡頭，由20多塊鍋底大的鏡片串聯(lián)組成。鏡片得高純度透光材料+高拋光。smee光刻機使用的鏡片，得數(shù)萬美元一塊。
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光刻工藝對掩膜版的要求
光刻是芯片設(shè)計中的重要技術(shù)。它具體是指在光照作用下，借助光致抗蝕劑將掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到基片上的一種技術(shù)。那光刻工藝對掩膜版的要求：精度高、反差強、耐磨損、套刻準。
正性光刻膠一般在使用過程中都簡稱為正膠，在顯影液中，光刻膠的溶解度是非常高的。行業(yè)內(nèi)普遍認為正性光刻膠具有-的對比度，生成的圖形也具有-的分辨率。掩膜版也被稱作是光刻版，上面又一層感光材料，使用過程中需要保持掩膜版的潔凈。
在光刻掩膜版的工藝中，我們知道在光刻膠的下面是要被刻蝕形成圖案的底層薄膜，倘若這個底層是反光的，光線就有可能從這個膜層反射而且會損害臨近的光刻膠，微納光刻芯片實驗室，這個損害對線寬控制將會帶來不好的影響。鑒于這種現(xiàn)象，抗反射層涂層有著很強的-性。底部的抗反射涂層分為郵寄抗反射涂層和無機反射涂層兩種，圖形光刻芯片實驗室，兩者相比，有機抗反射涂層更容易被去除。頂部的抗反射涂層由于不吸收光，一般是作為一個透明的薄膜干涉層，通過光線間的相干相消來消除反射。
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