導電N型6英寸碳化硅晶錠供應商

蘇州恒邁瑞材料科技有限公司為您提供導電n型6英寸碳化硅晶錠供應商。
第三代半導體碳化硅晶錠廠家蘇州恒邁瑞為客戶提供6英寸碳化硅晶錠晶體，根據電阻率不同可分為導電n型碳化硅晶錠電阻率0.015-0.028ω.cm及半絕緣碳化硅晶體電阻率＞1e8ω.cm.單個sic晶錠厚度約20mm左右，生產交貨期30天內，長期穩定發貨，歡迎有測試需求的客戶與我們聯系獲取價格。

sic晶錠的切割是sic襯底生產過程中的步驟，它對襯底的表面、尺寸和成本控制具有作用。切割工藝不僅決定了sic襯底的表面粗糙度ra、總厚度偏差ttv、翹曲度bow和彎曲度warp等參數，而且對襯底的品質、成品率和生產成本有著影響。此外，切割還直接影響到后續的研磨、拋光工序的效率和成本。



砂漿線切割：這是一種傳統的切割技術，通過使用含有磨料的線和砂漿來切割sic晶錠。盡管這種方法成本較低，但其切割速度較慢，且可能在襯底表面留下較深的損傷層。

金剛線切割：金剛線切割技術使用金剛石顆粒作為磨料，通過高速旋轉的線來切割sic晶錠。這種方法的切割速度快，表面損傷層較淺，有助于提高襯底的和成品率。

激光剝離技術：這是一種新興的切割技術，通過激光束的熱效應來分離sic晶錠。

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