成都超邁CJC系列磁控濺射鍍膜機共濺射直流射頻兼容粉末或顆粒上沉積薄膜

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●該設備用于納米級單層或多層膜、類金剛石薄膜、金屬膜、導電膜、半導體膜和非導電膜等功能薄膜的制備，可實現共濺射，直流、射頻兼容，適于科研院所和企業進行功能薄膜研發、教學和新產品開發，同時可在微米級粉末或顆粒上沉積薄膜進而達到表面改性的功能。建議選用公research系列磁控濺射平臺。

●主體結構：全封閉框架結構，機柜和主機為分體式機構。
●-真空度：≤６.６３×10－5pa，壓升率優于-。
●真空配置：高速直聯旋片泵一臺，配置尾氣處理裝置，分子泵一臺。
●真空測量：兩路電阻規，一路電離規；電阻規和電離規均采用防爆型金屬封結真空規。
●工件架系統：行星工件盤與公轉工件盤可選，垂直濺射與共濺射兼容，可配置１個加熱臺，采用pid控制可烘烤加熱到700℃。
●磁控濺射系統：配置３個φ50mm可折疊磁控靶可擴展至4靶機構，向上濺射成膜；靶基距可調；靶內均通入冷卻水冷卻。
●電源 ：2套直流電源；1套全固態射頻電源；一套200w直流偏壓電源。
●充氣系統：配置三路供氣，二路分別配置流量控制器，線性±0.5 % f.s，重復精度±0.2% f.s，0-5v輸出，在觸摸屏上設置流量。
●電氣控制系統：采用功能化模塊設計，匹配西門子人機界面+西門子控制單元，濺射時間可以設定并-，能夠根據工藝需求自動濺射。

●-說明：根據用戶不同的工況和工藝要求，公司愿與客戶聯合研發，共享-，公司致力于工藝與設備的-匹配，該設備為公司與電子科技大-合研發。

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