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噴射型ap等離子處理系統crf-apo-dp1010-d
名稱name 噴射型ap等離子處理系統
型號model crf-apo-dp1010-d
電源power supply 220v/ac,50/60hz
功率power 1000w/25khz
處理高度processing ht= 5-15mm
處理寬幅processing width 1-6mmoption
內部控制模式internal control mode 數字控制
外部控制模式external control mode rs485/rs232數字通訊口、
模擬量控制口 工作氣體gas
compressed air 0.4mpa
產品特點：可選配多種類型噴嘴，使用于不同場合，滿足各種不同產品和處理環境；
具有rs485/232數字通訊口和模擬量控制口，滿足客戶多元化需求。
設備尺寸小巧，方便攜帶和移動，節省客戶使用空間；
可in-line式安裝于客戶設備產線中，減少客戶投入成本；
使用---，保養維修成本低，便于客戶成本控制；
應用范圍：主要應用于電子行業的手機殼印刷、涂覆、點膠等前處理，手機屏幕的表面處理；工業的航空航天電連接器表面清洗；通用行業的絲網印刷、轉移印刷前處理等。
隨著半導體技術的發展，對技術的要求越來越高，---是半導體圓片的表面要求越來越嚴格，主要原因是圓片表面的粒子和金屬雜質污染---影響設備的和成品率，在現在的集成電路生產中，圓片表面污染問題，還有50%以上的材料損失。
在半導體生產過程中，幾乎每個過程都需要清洗，圓片清洗對設備性能有影響。正因為圓片清洗是半導體制造技術中重要、頻繁的步驟，其技術直接影響設備的成品率、性能和---性，各大公司、研究機構等對清洗技術的研究不斷進行。等離子清洗作為一種---的干式清洗技術，具有---等特點，隨著微電子行業的快速發展，等離子清洗機在半導體行業的應用也越來越多。
半導體污染雜質及分類。
半導體制造需要一些有機物和無機物參與完成。此外，由于工藝總是由人們參與凈化室，半導體圓片不可避免地會被各種雜質污染。根據污染物的來源、性質等，大致可分為粒子、有機物、金屬離子和氧化物4種。
顆粒。
粒子主要是聚合物、光刻膠、蝕刻雜質等。這種污染物通常主要依靠范德瓦爾斯的吸引力吸附在圓片表面，影響設備雕刻工序幾何圖形的形成和電學參數。這種污染物的去除方法主要用物理或化學方法切割粒子，逐漸減少與圓表面的接觸面積，終去除。
有機物。
有機物雜質的來源比較廣泛，如人的皮膚油脂、、機械油、真空油、光刻膠、清洗溶劑等。這種污染物通常在圓形表面形成有機物薄膜，阻止清洗液到達圓形表面，圓形表面清洗不完全，清洗后金屬雜質等污染物仍完全保留在圓形表面。
金屬。
半導體技術中常見的金屬雜質有鐵、銅、鋁、鉻、鎢、鈦、鈉、鉀、鋰等，這些雜質的來源主要有各種器皿、配管、化學試劑、半導體圓片加工中，在形成金屬連接的同時，也產生了各種金屬污染。這種雜質的去除通常采用化學方法，通過各種試劑和化學制成的清洗液和金屬離子反應，形成金屬離子的結合物，脫離圓片表面。
氧化物。
半導體圓片在含氧和水的環境下表面形成自然氧化層。該氧化膜不僅妨礙了半導體制造的許多步驟，還包括金屬雜質，在一定條件下轉移到圓片中形成電氣缺陷。該氧化膜的去除通常用稀---浸泡。
等離子清洗機在半導體晶圓清洗技術中的應用等離子清洗技術簡單，操作方便，無廢棄物處理和環境污染等問題。但是，它不能去除碳和其他非揮發性金屬或金屬氧化物。等離子體清洗常用于光刻膠的去除技術，在等離子體反應系統中加入少量氧氣，在強電場的作用下，使氧氣產生等離子體，使光刻膠迅速氧化成揮發性氣體狀態物質。該清洗技術具有去膠技術操作方便、---、表面清潔、無損傷、有利于---產品等優點，不使用酸、堿等，越來越受到重視。
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