長興小型非晶鐵芯退火爐 超微晶納米晶真空退火爐

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半導體芯片在經過離子注入以后就需要退火。因為往半導體中注入雜質離子時，高能量的入射離子會與半導體晶格上的原子碰撞，使一些晶格原子發生位移，結果造成大量的空位，將使得注入區中的原子排列混亂或者變成為非晶區，所以在離子注入以后必須把半導體放在一定的溫度下進行退火，以恢復晶體的結構和消除缺陷。同時，退火還有施主和受主雜質的功能，即把有些處于間隙位置的雜質原子通過退火而讓它們進入替代位置。退火的溫度一般為200~800c，比熱擴散摻雜的溫度要低得多
工件在加熱的過程中，把爐體前移，爐體為加熱體，加熱完成后，爐體后移，露出爐膽，快速冷即工件。也可以自備風機，鼓風加快冷即速度，爐膽口爐膽口有一個固定手拉式密封爐門，爐膽口做有水循環冷即，保護爐門硅膠盤根，抽真空與進氣管道分布在爐膽口位置，具體操作按用戶要求設計真空度。

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