深圳市華科智源科技有限公司為您提供igbt功率器件動態參數測試儀 華科智源。igbt功率器件動態參數測試儀主機可執行非破壞性的瞬態測量測試，包括對半導體器件絕緣柵雙極晶體管igbt，功率mosfet，二極管，雙極型器件的測試頭。主機包括所有測試設備和---的軟件分析，可執行電阻和電感的開關時間，開關損耗，柵極電荷，trr /的qrr和其他瞬態測試。
igbt功率器件動態參數測試儀概述
測試電壓：zui大1200 vdc 200短路電流可達1000a
定時測量：zui低為1 ns
漏電流
- mosfet開關時間測試， max vdd =1.2kv,0.1v steps
- mosfet,diodes qrr/trr反向恢復時間測試，max vdd=1.2kv, 0.1v steps
- qrr range：1nc~100uc，trr range：10ns~2us
- mosfet柵電荷qg測試，max vdd =1.2kv,0.1v steps
- igbt感性開關時間測試，max vdd =1.2kv,0.1v steps，inductors range：0.1mh~159.9mh
- igbt短路耐量測試，max isc=1000a
測試標準：
- mil-std-750 series
itc57300mos管功率器件動態參數測試儀選項
額外的電源供應器
額外的測試頭
大包裝適配器
itc57300mos管功率器件動態參數測試儀測試頭
itc57210 - n-通道和p-通道功率mosfet，mil-std-750方法3472開關時間
itc57220 - trr /電源，mosfet和二極管的qrr，mil-std-750方法，3473
itc57230 - 柵極電荷功率mosfet，mil-std-750方法3471
itc57240 - 電感式開關時間為igbt，mil-std 750方法3477
itc57250 - isc短路耐受時間，mil-std-750方法3479
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