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氣體傳感器介紹半導體氣體傳感器可分為電阻型和非電阻型(結型、mosfet型、電容型)。電阻型氣敏器件的原理是氣體分子引起敏感材料電阻的變化；非電阻型氣敏器件主要有m()s二極管和結型二極管以及場效應管(m()sfet)，它利用了敏感氣體會改變mosfet開啟電壓的原理，其原理結構與isfet離子敏傳感器件相同。
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氣體傳感器樣式sno2電阻型氣敏器件通常采用燒結工藝。以多孔sno2陶瓷為基底材料，再添加不同的其他物質，用制陶工藝燒結而成，燒結時埋入加熱電阻絲和測量電極。此外，也有用蒸發和濺射等工藝制成的薄膜器件和多層膜器件，這類器件靈敏度高，動態特性好。
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氣體傳感器類型氣敏二極管的特性曲線左移可以看作二極管導通電壓發生改變，這一特性如果發生在場效應管的柵極，將使場效應管的閾值電壓ut改變。利用這一原理可以制成mosfet型氣敏器件。氫氣敏mosfet是一種典型的氣敏器件，它用金屬鈀(pd)制成鈀柵。在含有氫氣的氣氛中，由于鈀的催化作用，氫氣分子分解成氫原子擴散到鈀與二氧化硅的界面，終導致mosfet的閾值電壓ut發生變化。使用時常將柵漏短接，可以---mosfet工作在飽和區，此時的漏極電流id=β(ugs—ut)2，利用這一電路可以測出氫氣的濃度。
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