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melec的電源脈沖發生器可實現多種用途，憑借現有的直流電源配上melec的電源脈沖發生器即可實現單極脈沖、雙極脈沖、偏壓以及hipims高能脈沖電源等功能。
nicr靶使用直流及hipims晶體結構對比
以hipims高能脈沖為例，相較于直流電源，離化率更高，沉積的薄膜附著力---，從上圖可以看出，直流電源沉積出的為柱狀結構，而hipims電源沉積出的為玻璃狀結構，膜層更致密。
melec的電源脈沖發生器主要分為研發領域使用的sipp2000系列以及工業領域使用的spik系列，其中sipp2000系列分為單極和雙極兩種，spik系列分為spik1000a、spik2000a和spik3000a三種。spik系列涵蓋的功率范圍可從0.5kw到30kw。
melec推出的spik3000a基本性能參數如下：
項目
規格參數
直流電源功率輸入
10kw,20kw,30kw
直流電源電壓輸入
1000v
直流電源電流輸入
50a
脈沖輸出電壓
1000v
脈沖輸出電流
1000a(峰值)
ce
melec電源脈沖發生器，除了單獨產生脈沖之外，也可進行疊加使用，根據不同的應用以及不同的基材等，進行各種不同的疊加。
對于單靶或者單弧源來說，可以進行直流和單極hipims高能脈沖、直流和單極脈沖以及單極脈沖和單極hipims高能脈沖疊加，實現共濺射的功能。
直流和單極hipims高能脈沖疊加
對于雙靶來說，可以進行更多種的疊加，比如雙極脈沖和雙極hipims高能脈沖、單極脈沖和雙極hipims高能脈沖(bias偏壓同步)、雙極hipims高能脈沖/雙極脈沖和單極脈沖(bias偏壓同步)、單極hipims高能脈沖/雙極脈沖和單極脈沖(bias偏壓同步)、雙極hipims高能脈沖和rf(bias偏壓同步)以及單極hipims高能脈沖和rf(bias偏壓同步)疊加等。
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