公司產品包括石英掩膜版，蘇打掩膜版，以及菲林版。蘇州制版根據客戶的構想、草圖，定制版圖，蘇州制版提供高掩膜版以及后期的代加工服務！
接觸光刻技術中使用的掩模的表面特征圖案的尺寸與實際掩模的尺寸相同。i在襯底上形成的圖案是1∶1，并且以直接接近光致抗蝕劑層表面的方式-i光線；另一方面，縮微技術中使用的掩模具有表面特征圖案的實際尺寸。i在襯底上形成的圖案的幾次通過光學系統投影模式-i光明。
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蝕刻或離子注入完成后，將進行光刻的-一步，即光致抗蝕劑去除，以促進半導體器件制造的其他步驟。通常，在半導體器件的整個制造過程中，執行許多光刻工藝。生產復雜集成電路的過程可能需要多達50個光刻步驟，而生產薄膜所需的光刻步驟數量將更少。
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根據金屬化全過程，在硅襯底上布局一層層僅數納米技術厚的金屬材料層。隨后在這里層金屬材料上覆上一層層光刻膠。這層光阻劑在曝i光通常是紫外光后能夠 被特殊水溶液顯影液融解。使特殊的納米越過光掩膜直射在光刻膠上，能夠 對光刻膠開展可選擇性直射曝i光。隨后應用前邊提及的顯影液，融解掉被直射的地區，那樣，光掩模上的圖型就展現在光刻膠上。一般 還將根據風干對策，掩膜版，改進剩下一部分光刻膠的某些特性。所述流程進行后，就能夠 對襯底開展可選擇性的刻蝕或離子注入全過程，未被融解的光刻膠將維護襯底在這種全過程中不被更改。
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