同方迪一分享瓷片電容和獨(dú)石電容作用的區(qū)別
獨(dú)瓷片電容和獨(dú)石電容的工作原理是相近的，在一些要求不是很嚴(yán)謹(jǐn)?shù)膱龊现袃烧呤强梢曰ハ嗵鎿Q的。當(dāng)然，替換時(shí)間不可過長，須要盡快更換同等同容量的電容。
瓷片電容器根據(jù)所使用的材料，可分為三類，一類為溫度補(bǔ)償類，二類為高介電常數(shù)類，三類為半導(dǎo)體類，主要用于電子整機(jī)中的振蕩、耦合、濾波、旁路電路中。瓷片電容的制作工藝是比較特殊的，采用薄瓷片兩面渡金屬膜銀而成。相對而言，瓷片電容體積小，價(jià)格低，耐壓高，頻率高，因此在很多便攜電子產(chǎn)品中的應(yīng)用是廣泛的。
獨(dú)石電容的體積比cbb更小，其他同cbb。經(jīng)常會被應(yīng)用在模擬、數(shù)字電路信號旁路、濾波，音響。獨(dú)石電容電容量大、體積小、---性高、電容量穩(wěn)定，耐高溫耐濕性好等。對于一些要求高或者是要---密度的產(chǎn)品中都是可以采用獨(dú)石電容的。獨(dú)石電容比較穩(wěn)定，問溫漂系數(shù)小，電容值可以做到1uf，等效直流電阻小，價(jià)格稍貴。
同方迪一帶你了解高壓陶瓷電容的失效和擊穿
無論在雨季潮濕天氣還是陽光天氣下，存儲陶瓷電容器是有要求的。因?yàn)榭諝庵袧穸冗^高時(shí)，水膜凝聚在電容器外殼表面，可使電容器的表面絕緣電阻下降。此外，對于半密封結(jié)構(gòu)電容器來說，水分還可滲透到電容器介質(zhì)內(nèi)部，使電容器介質(zhì)的絕緣電阻絕緣能力下降。因此，高溫、高濕環(huán)境對陶瓷電容器參數(shù)惡化的影響為。
陶瓷電容器在高濕度環(huán)境條件下工作時(shí)，發(fā)生擊穿失效是比較普遍的---問題。所發(fā)生的擊穿現(xiàn)象大約可以分為介質(zhì)擊穿和表面間飛弧擊穿兩類。介質(zhì)擊穿按發(fā)生時(shí)間的早晚又可分為早期擊穿與老化擊穿兩種，早期擊穿暴露了電容介質(zhì)材料與生產(chǎn)工藝方面存在的問題，這些問題導(dǎo)致陶瓷介質(zhì)介電強(qiáng)度降低，瓷片電容20kv，以于在高濕度環(huán)境的電場作用下，壓瓷片電容30kv，電容器在耐壓試驗(yàn)過程中或工作初期，就產(chǎn)生電穿。
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