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mos管mosfet/場效應管的主要參數：
6. 導通電阻ron
·導通電阻ron說明了vds對id的影響 ，是漏極特性某一點切線的斜率的倒數
·在飽和區，id幾乎不隨vds改變，ron的數值很大，一般在幾十千歐到幾百千歐之間
·由于在數字電路中 ，mos管導通時經常工作在vds=0的狀態下，所以這時的導通電阻ron可用---的ron來近似
·對一般的mos管而言，ron的數值在幾百歐以內
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asemi低壓mos管 a29t/ 3402 n道mos管 30v
型號：a29t / 3402
封裝：sot-23
漏極電流vds：4a
漏源電壓id：30v
工作溫度：-55℃~150℃
封裝形式：貼片
種類：場效應晶體管mosfet/mos管
品牌：asemi
晶體管有n型channel所有它稱為n-channel mos管，插件場效應管，或nmos。p-channel mos(pmos)管也存在，是一個由輕摻雜的n型backgate和p型source和drain組成的pmos管。
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mos管mosfet的-情況：
1.電路設計的問題，就是讓mos管工作在線性的工作狀態，6n65插件場效應管，而不是在開關狀態。這也是導致mos管-的一個原因。如果n-mos做開關，g級電壓要比電源高幾v，才能完全導通，9n90插件場效應管，p-mos則相反。沒有完全打開而壓降過大造成功率消耗，等效直流阻抗比較大，10n60插件場效應管，壓降增大，所以u*i也增大，損耗就意味著-。這是設計電路的忌諱的錯誤。
2.頻率太高，主要是有時過分追求體積，導致頻率提高，mos管上的損耗增大了，所以-也加大了。
3.沒有做好足夠的散熱設計，電流太高，mos管標稱的電流值，一般需要---的散熱才能達到。所以id小于電流，也可能----，需要足夠的輔助散熱片。
4.mos管的選型有誤，對功率判斷有誤，mos管內阻沒有充分考慮，導致開關阻抗增大。
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