多壁碳納米管具有比表面積高、碳相純度高、長徑比的特點。該多壁碳納米管采用改性催化碳氣相沉積法制得。該產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于防靜電高分子材料、催化劑載體、鋰電池導(dǎo)電膠、導(dǎo)熱材料、機械增強材料等領(lǐng)域,且表現(xiàn)出優(yōu)良的產(chǎn)品性能。此外還有雙壁碳納米管,雙壁碳納米管特點是直徑小、結(jié)晶度高。該納米管具有高的導(dǎo)電性。
硅是傳統(tǒng)的半導(dǎo)體材料。長期以來,整個半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)遵循摩爾定律,不斷縮小晶體管尺寸以提升其性能。而業(yè)界認為,摩爾定律將在2020年左右達到終點,即硅材料晶體管的尺寸將無法再縮小,芯片的性能提升已經(jīng)接近其物理-。在此背景下,人們一直在尋找能夠替代當(dāng)前硅芯片的材料,碳納米管就是主要的研究方向之一。美國斯坦福大學(xué)、ibm公司的研究人員都在致力于該領(lǐng)域的研究。國際半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展路線圖近年來多次引用團隊的工作,來證明碳納米管是一個重要的出路。