興之揚(yáng)不銹鋼蝕刻小編給大家介紹超薄材料的蝕刻加工能力：
相對于沖壓工藝，-是對一硬材質(zhì)材料和超薄材料，沖壓是存在-和難點(diǎn)的：主要體現(xiàn)在沖壓會造成一些精密零件的材料變形，零件側(cè)邊緣會存在卷邊毛剌。而這恰恰是有些零件精密產(chǎn)品所不允許的！而一旦沖壓模具確定好后，想要更改的話，就會造成大量的模具成本的浪費(fèi)。而蝕刻加工正好可以解決沖壓工藝所不能達(dá)到的要求。蝕刻加工可以針對超薄材料進(jìn)行隨進(jìn)的模版更改設(shè)計，而其成本在大批量生產(chǎn)的情況下，甚至可以忽略不計。而且蝕刻工藝不會對材料和零件產(chǎn)生毛剌。光滑的零件表面完全可滿足產(chǎn)品裝配的要求。
興之揚(yáng)蝕刻電視304不銹鋼網(wǎng)小編來給大家講解什么是干法蝕刻：
電漿干法蝕刻主要應(yīng)用于集成電路制程中線路圖案的定義，通常需搭配光阻的使用及微影技術(shù)，其中包括了1)氮化硅(nitride)蝕刻：應(yīng)用于定義主動區(qū)；2)復(fù)晶硅化物/復(fù)晶硅(polycide/poly)蝕刻：應(yīng)用于定義閘極寬度/長度；3)復(fù)晶硅(poly)蝕刻：應(yīng)用于定義復(fù)晶硅電容及負(fù)載用之復(fù)晶硅；4)間隙壁(spacer)蝕刻：應(yīng)用于定義ldd寬度；5)接觸窗(contact)及引洞(via)蝕刻：應(yīng)用于定義接觸窗及引洞之尺寸大小；6)鎢回蝕刻(etchback)：應(yīng)用于鎢栓塞(w-plug)之形成；7)涂布玻璃(sog)回蝕刻：應(yīng)用于平坦化制程；8)金屬蝕刻：應(yīng)用于定義金屬線寬及線長；9)接腳(bondingpad)蝕刻等。
影響干法蝕刻特性好壞的因素包括了：1)干法蝕刻系統(tǒng)的型態(tài)；2)干法蝕刻的參數(shù)；3)前制程相關(guān)參數(shù)，如光阻、待蝕刻薄膜之沉積參數(shù)條件、待蝕刻薄膜下層薄膜的型態(tài)及表面的平整度等。
興之揚(yáng)蝕刻不銹鋼網(wǎng)片小編來向大家說說電漿干法蝕刻制程參數(shù)：
電漿蝕刻制程參數(shù)一般包括了射頻(rf)功率、壓力、氣體種類及流量、蝕刻溫度及腔體的設(shè)計等因素，而這些因素的綜合結(jié)果將直接影響蝕刻的結(jié)果。
射頻(rf)功率是用來產(chǎn)生電漿及提供離子能量的來源，因此功率的改變將影響電漿中離子的密度及撞擊能量而改變蝕刻的結(jié)果。壓力也會影響離子的密度及撞擊能量，另外也會改變化學(xué)聚合的能力；蝕刻反應(yīng)物滯留在腔體內(nèi)的時間正比于壓力的大小，一般說來，延長反應(yīng)物滯留的時間將會提高化學(xué)蝕刻的機(jī)率并且提高聚合速率。氣體流量的大小會影響反應(yīng)物滯留在腔體內(nèi)的時間；增加氣體流量將加速氣體的分布并可提供更多未反應(yīng)的蝕刻反應(yīng)物，因此可降低負(fù)載效應(yīng)(loadingeffect)；改變氣體流量也會影響蝕刻速率。原則上溫度會影響化學(xué)反速率及反應(yīng)物的吸附系數(shù)(adsorptioncoefficient)，提高芯片溫度將使得聚合物的沉積速率降低，導(dǎo)致側(cè)壁的保護(hù)減低，但表面在蝕刻后會較為干凈；增加腔體的溫度可減少聚合物沉積于管壁的機(jī)率，以提升蝕刻制程的再現(xiàn)性。晶圓背部-氣循環(huán)流動可控制蝕刻時晶圓的溫度與溫度的均勻性，以避免光阻燒焦或蝕刻輪廓變形。其它尚須考慮的因素還有腔體的材質(zhì)，一般常見的材質(zhì)包含鋁、陶瓷、石英、硅及石墨等，不同的腔體材質(zhì)會產(chǎn)生不同的反應(yīng)產(chǎn)物并會改變蝕刻的直流偏壓。
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