碳納米管在促進電子學的發展時面臨著兩個主要障礙,一是如何將碳納米管放置在合適的位置,二是如何將半導體和金屬性質的碳納米管分開。我們并不清楚這些問題的解決是否會使碳納米管成為電子學在后硅時代的方向。但是盡管這些問題沒有成熟的解決方案,研究者們還是提出了一些想法。而另一個問題就不是這樣:如何得到均勻的電阻測量值。
氣相沉積法是指將兩種以上的氣態原材料導入到一個反應器中,使原料相互之間發生碰撞并發生化學反應,從而制備一種新的材料,再將其沉積到基體表面上。氣相沉積法優點是反應速度快、沉積均勻等特性使之應用越來越普遍,常常用來制備核殼材料。研究者利用氣化后的氧化硅與氧化碳反應生成β-碳化硅,然后將其均勻沉積在碳納米管表面,且包覆均勻完整,對碳納米管實現表面功能化修飾。