電壓控制振幅的振蕩器，其實就是兩個部分組成的，一個是一個標準的振蕩器，另一個是壓控放大器，其增益可以隨輸入電壓的變化而變化，電子設備壓控振蕩器加工，理想的變化是可以讓它輸出從0到正無窮(可輸出大量)的范圍。
這樣的電路也就是一個am電路(幅度調制電路)，也就是一般中波收音機上那種調制方式。
具體電路可以參考一些am發射機的電路，比如早期的中短波對講機，都是這種電路。
空間輻射環境中的鎖相環在set作用下，將產生頻率或相位偏差，甚至導致振蕩中止，造成通信或功能中斷。壓控振蕩器是鎖相環中的關鍵電路，也是對set敏感的部件之一。本文基于工藝校準的器件模型，采用tcad混合模擬的方法，針對180nm體硅cmos工藝下高頻鎖相環中的壓控振蕩器，研究了偏置條件、入射粒子的能量以及溫度對壓控振蕩器set響應的影響，通過分析失效機理，以指導抗輻照壓控振蕩器的設計。研究結果表明，當器件工作在截止區時，入射粒子引起壓控振蕩器輸出時鐘的相位差小;壓控振蕩器的輸出時鐘錯誤脈沖數隨著入射粒子let的增加而線性增加;隨著器件工作溫度的升高，轟擊粒子引起壓控振蕩器輸出時鐘的相位差也是增大的。
在任何一種lc振蕩器中，將壓控可變電抗元件插入振蕩回路就可形成lc壓控振蕩器。早期的壓控可變電抗元件是電抗管，后來大都使用變容二極管。圖 2是克拉潑型lc壓控振蕩器的原理電路。圖中，t為晶體管，l為回路電感，c1、c2、cv為回路電容，cv為變容二極管反向偏置時呈現出的容量;c1、c2通常比cv大得多。當輸入控制電壓uc改變時，cv隨之變化，因而改變振蕩頻率。這種壓控振蕩器的輸出頻率與輸入控制電壓之間的關系為vco輸出頻率與控制電壓關系式中c0是零反向偏壓時變容二極管的電容量；φ 是變容二極管的結電壓；γ 是結電容變化指數。為了得到線性控制特性，可以采取各種補償措施。
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