壓控振蕩器的類型有lc壓控振蕩器、rc壓控振蕩器和晶體壓控振蕩器。對壓控振蕩器的技術要求主要有:頻率穩定度好，控制靈敏度高，調頻范圍寬，頻偏與控制電壓成線---并宜于集成等。晶體壓控振蕩器的頻率穩定度高，但調頻范圍窄，rc壓控振蕩器的頻率穩定度低而調頻范圍寬，lc壓控振蕩器居二者之間。
空間輻射環境中的鎖相環在set作用下，將產生頻率或相位偏差，甚至導致振蕩中止，造成通信或功能中斷。壓控振蕩器是鎖相環中的關鍵電路，也是對set敏感的部件之一。本文基于工藝校準的器件模型，采用tcad混合模擬的方法，針對180nm體硅cmos工藝下高頻鎖相環中的壓控振蕩器，研究了偏置條件、入射粒子的能量以及溫度對壓控振蕩器set響應的影響，通過分析失效機理，以指導抗輻照壓控振蕩器的設計。研究結果表明，當器件工作在截止區時，入射粒子引起壓控振蕩器輸出時鐘的相位差小;壓控振蕩器的輸出時鐘錯誤脈沖數隨著入射粒子let的增加而線性增加;隨著器件工作溫度的升高，轟擊粒子引起壓控振蕩器輸出時鐘的相位差也是增大的。
隨著現代通信系統和現代雷達系統的出現，射頻電路需要在特定的載波頻率點上建立穩定的諧波振蕩，電壓調壓控振蕩器價格，以便為調制和混頻創造---的條件.設計了一個振蕩頻率在1.14～1.18 ghz的負阻lc壓控振蕩器，實現了壓控振蕩器的寬調頻，使頻率范圍達到40 mhz.并且為避免在外部電路對壓控振蕩器(vco)的影響，在電路中加入射極跟隨器作為buffer，起到阻抗變換和級間隔離的作用.為負阻lc壓控振蕩器的設計提供了一種參考電路.
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