深圳市遠華信達科技有限公司為您提供回收手機驅動ic-回收數碼驅動ic長期合作。flash閃存是非易失存儲器,可以對稱為塊的存儲器單元塊進行擦寫和再編程。任何flash器件的寫入操作只能在空或已擦除的單元內進行,所以大多數情況下,在進行寫入操作之前 先執(zhí)行擦除。nand器件執(zhí)行擦除操作是十分簡單的,而nor則要求在進行擦除前先要將目標塊內所有的位都寫為1。
由于擦除nor器件時是以64~128kb的塊進行的,執(zhí)行一個寫入/擦除操作的時間為5s,與此相反,擦除nand器件是以8~32kb的塊進行的,執(zhí)行相同的操作多只需要4ms。
執(zhí)行擦除時塊尺寸的不同進一步拉大了nor和nadn之間的性能差距,統計表明,對于給定的一套寫入操作(尤其是更新小文件時), 的擦除操作 在基于nor的單元中進行。這樣,當選擇存儲解決方案時,--- 權衡以下的各項因素。
● nor的讀速度比nand稍快一些。
● nand的寫入速度比nor快很多。
● nand的4ms擦除速度遠比nor的5s快。
● 大多數寫入操作需要---行擦除操作。
● nand的擦除單元更小,相應的擦除電路更少。
---性
采用flash介質時一個需要 考慮的問題是---性。對于需要擴展mtbf的系統來說,flash是非常合適的存儲方案。可以從壽命(---性)、位交換和壞塊處理三個方面來比較nor和nand的---性。
---性
在nand閃存中每個塊的大擦寫次數是一百萬次,而nor的擦寫次數是十萬次。nand存儲器除了具有10比1的塊擦除周期勢,典型的nand塊尺寸要比nor器件小8倍,每個nand存儲器塊在給定的時間內的刪除次數要少一些。
易于使用
可以非常直接地使用基于nor的閃存,可以像其他存儲器那樣連接,并可以在上面直接運行代碼。
由于需要i/o接口,nand要復雜得多。各種nand器件的存取方法因廠家而異。
在使用nand器件時, 先寫入驅動程序,才能繼續(xù)執(zhí)行其他操作。向nand器件寫入需要相當的技巧,,這就意味著在nand器件上自始至終都 進行虛擬映射。
其他作用
驅動還用于對diskonchip產品進行仿真和nand閃存的管理,包括糾錯、壞塊處理和損耗平衡。
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