一、電位器動噪聲原因分析
一段時期來，我廠φ12，φ16，φ30mm直滑式電位出現了較---的動噪聲超差現象，動噪聲---50～80mv，造成了較大的---。為此成立了攻關課題小組，對動噪聲超差的原因進行詳細的分析、試驗和探討。對大量的電位器樣品進行了測試、解剖和分析，發現對于線性特性電位器。動噪聲超差點出現在j部與h部得搭接處如圖1所示，傳感器電阻片印刷，對于指數或對數曲線電位器動噪聲超差點出現在m部與h部的搭接如圖2所示。我們對搭接處坡高進行了測量，發現噪聲大的碳膜片相對較高且較陡，而噪聲低的碳膜片坡高相對較低且腳平緩。對這一現象的分析認為正是由于搭接處形成一階梯狀的結構，使電刷早滑動到搭接處是時產生了所謂的“跳躍效應”，引起電刷與膜片的電氣接觸時間中斷，從而引起動噪聲超差。那么因素，溫州傳感器電阻片，在漿料及碳膜片制造工藝過程中，為了找出主要因素，進行了試驗。
二、試驗過程中及數據
1、 漿料制造過程中，傳感器電阻片生產，樹脂對動噪聲的影響
選用兩批樹脂進行了對比試驗這兩批樹脂是同一間廠家的同一品種但不同批量樹脂，其中一批樹脂粘度較高。把這兩批樹脂各按標準配方與其它原材料配合按標準生產出來漿料，分別在絲網印-上印刷一品種同一阻值的碳膜片。各裝配成一批電位器，各隨機抽樣20只，并對其動噪聲進行測量，數據對比比如表1.
從表1的試驗數據中可明顯看出，在同樣的生產條件下，由粘度較高的樹脂制備的漿料所生產的碳膜片裝配而成的電位器動噪聲遠大于粘度適中樹脂所生產的碳膜片裝配而成的電位器動噪聲。由此所見，樹脂基是影響電位器動噪聲的一個主要因素。
2、 漿料配方中客額量對動噪聲的影響
在漿料的輥軋過程中，配方中的溶劑是影響輥軋時間，進而影響棍軋漿料的的一個因素。這是因為在叫漿料輥軋過程中，輥軋時間與溶劑量廠正比，如果溶劑量過少，那么輥軋時時間就會較短，從而漿料輥軋不充分，使漿料變差。未了進行對比，我們做了如下試驗，配制兩種同類漿料，陶瓷傳感器電阻片，一種按標準溶劑量進行配合，另一種溶劑量減半，
1、厚膜技術：用絲網印刷或噴涂等方法，將電子漿料涂覆在陶瓷基板上，制成所需圖形，再經過燒結或聚合制造出厚膜元器件和集成電路的技術。
簡稱印—燒技術
2、厚膜技術的發展
厚膜技術起源于古代—唐三彩
?厚膜印—燒技術應用到電路上只有幾十年的歷史。
?1943年美國centralab公司為的無線電引信生產了一種小型振蕩－放大電路標志著厚膜混合微電路的誕生。
?1948年晶體管的發明使有源器件的體積---縮小，促進了電路由體積型結構向平面型結構轉化，產生了真正---的平面化的厚膜混合電路并開始在工業產品和消費類產品中應用。
?1959年-厚膜混合集成電路問世，并于1962年開始批量生產。
?1965年美國ibm公司首先將厚膜ic應用于電子計算機并獲得成功，厚膜技術和厚膜ic進入成熟和大量應用。
?1975年厚膜導體漿料、介質漿料有了新發展，使細線工藝和多層布線技術有了突破，促進了厚膜ic的組裝密度得到---提高并使“二次集成”成為可能。
?1976年混合-厚膜ic出現。
?1980年至目前為---規模混合集成階段，現已能在厚膜技術基礎上綜合利用半導體技術、薄膜技術和其它技術成就，可以制造能完成功能很復雜的---規模的功能塊電路。
厚膜混合集成電路的材料
在厚膜混合集成電路中，基片起著承載厚膜元件、互連、外貼元件和以及包封等作用，在大功率電路中，基片還有散熱的作用。厚膜電路對基片的要求包括：平整度、光潔度高;有---的電氣性能;高的導熱系數;有與其它材料相匹配的熱膨脹系數;有---的機械性能;高穩定度;---的加工性能;價格便宜。通常厚膜電路選擇 96% 的氧化鋁陶瓷基片，如果需要散熱條件---的基片則可選擇---基片。
在厚膜混合集成電路中，無源網絡主要是在基片---各種漿料通過印刷成圖形并經高溫燒結而成。使用的材料包括：導體漿料、介質漿料和電阻漿料等。
厚膜導體是厚膜混合集成電路中的一個重要組成部分，在電路中起有源器件的互連線、多層布線、電容器電極、外貼元器件的引線焊區、電阻器端頭材料、低阻值電阻器、厚膜微帶等作用。導體漿料中，通常的厚膜混合集成電路使用的是鈀銀材料，在部分電路和---電路中使用的是金漿料，在部分要求不高的電路中使用的是銀漿料。
厚膜電阻漿料也是厚膜混合集成電路中的一個重要組成部分，用厚膜電阻漿料制成的厚膜電阻是應用廣泛和重要的元件之一。厚膜電阻漿料是由功能組份、粘結組份、有機載體和改性劑組成，一般選用美國杜邦公司的電阻漿料。
厚膜介質漿料是為了實現厚膜外貼電容的厚膜化、步線導體的多層化以及厚膜電阻的性能參數不受外部環境影響而應用的。包括電容介質漿料、交叉與多層介質漿料和包封介質漿料。
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