目前，用來制備納米鋁酸-的方法很多，其中較常用的有：燃燒合成法，共沉淀法，溶膠凝膠法，醇鹽水解法。在這些方法中燃燒法具有明顯的優勢。鋁酸-laalo3在常溫下結構的空間群為r3c，晶格參數為a=0.5357nm和a=60°6′。鋁酸-laalo3單晶是當前重要的工業化、大尺寸高溫超導薄膜基片單晶材料。它用提拉法生長，可以得到直徑2英吋及的單晶和基片。
用基于原子層控制異質外延技術，在硅基上實現了-面層外延生長，制備出高介電常數的鋁酸-薄膜，降低了超薄高介電常數薄膜漏電流，解決了下一代場效應器件的關鍵技術之一。laalo3晶體介電常數和介電損耗隨測量頻率的變化，在1khz~500mhz的頻率范圍內，測量溫度為20°c，隨頻率的增加介電常數略有降低，介電損耗在整個測量頻率范圍內小于1***10-3，說明laalo3晶體的高頻性能較好。
鋁酸-作為一種新型的稀土材料，在電子器件、催化、高溫燃料電池、陶瓷、污水處理、襯底材料等方面得到了廣泛應用。鋁酸-laalo3晶體的著色主要是原料中的雜質所致，因此，鋁酸-(laalo3)晶體基片，我們在選擇原料時采用高純原料。另外剩余料要-使用次數，且時刻注意避免原料的污染。鋁酸-有望代替二氧化硅，用來作為金屬氧化物半導體場效應管器件新的柵介質，使半導體工業在器件尺寸縮小到納米及以下時，繼續遵從“摩爾定律”。
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