1給石墨錐加的電流量越大，石墨錐的外表溫度越高。建議運(yùn)用盡量小的外表負(fù)荷密度功率。請(qǐng)留意石墨錐冷端記錄的數(shù)值為空氣中1000℃的電流、電壓，與實(shí)踐運(yùn)用紛歧定相符。普通狀況下，石墨錐外表功率是由爐內(nèi)溫度和石墨板外表溫度的關(guān)系求得，建議運(yùn)用石墨板---密度的1/2-1/3數(shù)值的外表功率w/ cm2，耐高溫石墨板.
2 石墨錐盡能夠并聯(lián)。假如石墨錐阻值分歧，串聯(lián)時(shí)電阻高的石墨錐負(fù)荷集中，招致某一個(gè)石墨錐電阻疾速添加，壽命變短.
3 石墨錐在空氣中被加熱后，外表構(gòu)成致密的氧化硅膜，釀成維護(hù)膜，起到延伸壽命的效果。近年來(lái)，開拓了各類涂層以避免石墨錐裂化，用于有各類氣體的爐內(nèi)。潤(rùn)滑石墨錐
4 石墨錐的溫度散布特征，新出貨時(shí)的反省規(guī)格為在有用---長(zhǎng)度內(nèi)為δ60℃以內(nèi)才算及格，當(dāng)然溫度散布會(huì)跟著其老化而變大的，能夠到達(dá)200℃。詳細(xì)溫度散布轉(zhuǎn)變也因爐內(nèi)氛圍、運(yùn)用前提的分歧而分歧。
5 延續(xù)運(yùn)用石墨錐時(shí)，但愿緩速添加電阻以維持長(zhǎng)命命。
6 石墨錐跟著運(yùn)用溫度越高壽命為越短，因而在爐膛溫度超1400℃今后，島津石墨錐價(jià)格，氧化速度加速，壽命縮短，運(yùn)用中留意盡量不要讓石墨錐外表溫渡過高。
高純石墨一般指含碳量在99.99%以上的石墨，在組織結(jié)構(gòu)上可分為粗顆粒結(jié)構(gòu)、細(xì)顆粒結(jié)構(gòu)和超細(xì)顆粒結(jié)構(gòu)三類，高純石墨大量用于直拉單晶硅爐中。集成電路的基礎(chǔ)材料主要是硅單晶芯片，目前硅單晶的成長(zhǎng)工藝主要采用直拉(cz)法，其他方法還有磁場(chǎng)直拉法(mcz)、區(qū)域(fz)法以及雙坩堝拉晶法，電子工業(yè)用直拉單晶硅約占單晶硅總用量的80%，直拉單晶硅爐中的石墨件是消耗品，采用高純石墨材料加工成直拉單晶硅爐的加熱系統(tǒng)。2005年中國(guó)需要直拉硅單晶爐用石墨約800t。
高純石墨另一重要用途是加工成各類坩堝，島津石墨錐批發(fā)，用于生產(chǎn)、稀有金屬或高純金屬、非金屬材料。光譜分析用石墨電極也是一種高純石墨，可用于除碳素以外的所有元素的光譜化學(xué)分析，光譜分析用石墨電極用擠壓方法成型。成品的雜質(zhì)元素含量應(yīng)不大于6*10-5在光譜分析中制備標(biāo)準(zhǔn)樣品和用化學(xué)方法捕集雜質(zhì)時(shí)需用光譜純炭粉或光譜純石墨粉，這兩種高純材料對(duì)雜質(zhì)含量的要求都是在6*10-5；在某些用途方面，島津石墨錐報(bào)價(jià)，需要含碳量達(dá)到99.9995%，總灰分含量小于5*10-6。高純石墨的成型方法有擠壓成型、模壓成型及等靜壓成型三種。
雖然國(guó)際上對(duì)各向同性石墨的定義有待于進(jìn)一步明確，一般是測(cè)量產(chǎn)品直徑方向和長(zhǎng)度方向的某些物理性能指標(biāo)并計(jì)算其比值，有的用熱膨脹系數(shù)的比值表示，較簡(jiǎn)單的是以電阻率的比值表示，其異向比在1.0~1.1范圍內(nèi)稱為各向同性產(chǎn)品，超過1.1稱為各向---產(chǎn)品。日本等工業(yè)技術(shù)---用等靜壓成型方法生產(chǎn)的大型各向同性石墨直徑達(dá)1.5m，上海島津石墨錐，長(zhǎng)度達(dá)3%，體積密度達(dá)到1.95-2.0g/cm3，各向---比縮小到1.05。制造各向同性石墨除使用一般石油焦外，還使用改性瀝青焦、天然瀝青焦、氧化石油焦、不經(jīng)煅燒的生石油焦、天然石墨等。
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