還有一點(diǎn)至重要的，新改進(jìn)的電路產(chǎn)生的問(wèn)題可能比原先的還要-。換句-，盡管延長(zhǎng)過(guò)渡時(shí)間可以減少電磁干擾，但其引起的熱效應(yīng)也隨之成為重要的問(wèn)題。有一種控制電磁干擾的方法是用全集成電源模塊代替?zhèn)鹘y(tǒng)的直流到直流轉(zhuǎn)換器。電源模塊是含有全集成功率晶體管和電感的開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器，它和線性穩(wěn)壓器一樣可以很輕松地融入系統(tǒng)設(shè)計(jì)中。模塊開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)的回路面積遠(yuǎn)小于相似尺寸的穩(wěn)壓器或控制器，電源模塊并不是新生事物，它的面世已經(jīng)有一段時(shí)間了，但是直到現(xiàn)在，由于一系列問(wèn)題，模塊仍無(wú)法有效散熱，且一經(jīng)安裝后就無(wú)法更改。
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很多開(kāi)關(guān)電源的高壓測(cè)試和低壓測(cè)試都會(huì)選用安規(guī)電容，目的是為了濾除高次諧波，防止干擾，提高輸出電壓。一般為隔離式電源，在初級(jí)和次級(jí)上加y電容是為了給次級(jí)的共模電流提供一個(gè)回路到初級(jí)，減少共模電流對(duì)輸出的影響。y電容串接在高壓地和低壓地之間，有時(shí)會(huì)采用兩個(gè)y電容串聯(lián)，作用是為了提高高壓地和低壓地之間之間的耐壓。
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絕緣柵雙極性晶體管insulated gate bipolar tansistor，igbt是一種復(fù)合開(kāi)關(guān)器件，關(guān)斷時(shí)的電流拖 尾會(huì)導(dǎo)致較大的關(guān)斷損耗，如果在關(guān)斷前使流過(guò)它的電流降到零，則可以顯著地降低開(kāi)關(guān)損耗，因此igbt宜采用零電流zcs關(guān)斷方式。igbt在 零電壓條件下關(guān)斷，同樣也能減小關(guān)斷損耗，但是mosfet在零電流條件下開(kāi)通時(shí)，并不能減小容性開(kāi)通損耗。諧振轉(zhuǎn)換器resonantconverter ，rc、準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換器qunsi-tesonant converter，qrc、多諧振轉(zhuǎn)換器multi-resonantconverter，非標(biāo)訂做低紋波電源，mrc、零電壓開(kāi)關(guān)pwm轉(zhuǎn)換器zvs pwm converter、零電流開(kāi)關(guān)pwm轉(zhuǎn)換器zcs pwm converter、零電壓轉(zhuǎn)換zero-voltage-transition，zvtpwm轉(zhuǎn)換器和零電流轉(zhuǎn)換zero- voltage-transition，zvtpwm轉(zhuǎn)換器等，均屬于軟開(kāi)關(guān)直流轉(zhuǎn)換器。電力電子開(kāi)關(guān)器件和零開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器技術(shù)的發(fā)展，促使了高頻開(kāi)關(guān)電源的發(fā)展。
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