開關電源中應用的電力電子器件主要為二極管、igbt和mosfet、變壓器。scr在開關電源輸入整流電路及軟啟動電路中有少量應用，gtr驅動困難，開關頻率低，逐漸被igbt和mosfet。開關電源的發展方向是高頻、高-、低耗、低噪聲、抗干擾和模塊化。開關電源由于開關電源輕、小、薄的關鍵技術是高頻化，因此國外各大開關電源制造商都致力于同步開發新型高智能化的元器件，-是-二次整流器件的損耗，并在功率鐵氧體材料上加大科技，以提高在高頻率和較大磁通密度bs)下獲得高的磁性能，而電容器的小型化也是一項關鍵技術。smt技術的應用使得開關電源取得了長足的進展，在電路板兩面布置元器件，以-開關電源的輕、小、薄。開關電源的高頻化就必然對傳統的pwm開關技術進行，實現zvs、zcs的軟開關技術已成為開關電源的主流技術，并大幅提高了開關電源的工作效率。對于高-性指標，美國的開關電源生產商通過降低運行電流，降低結溫等措施以減少器件的應力，使得產品的-性大大提高。
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諧波系列的電磁干擾幅度受q1和q2的通斷影響。在測量漏源電壓vds的上升時間tr和下降時間tf，或流經q1和q2的電流上升率di/dt 時，可以很明顯看到這一點。這也表示，我們可以很簡單地通過減緩q1或q2的通斷速度來降低電磁干擾水平。事實正是如此，延長開關時間的確對頻率高于 f=1/πtr的諧波有很大影響。不過，此時必須在增加散熱和降低損耗間進行折中。盡管如此，對這些參數加以控制仍是一個好方法，非標定做電源模塊，它有助于在電磁干擾和熱性能間取得平衡。具體可以通過增加一個小阻值電阻(通常小于5ω)實現，該電阻與q1和q2的柵極串聯即可控制tr和tf，你也可以給柵極電阻串聯一個 “關斷二極管”來獨立控制過渡時間tr或tf(見圖3)。這其實是一個迭代過程，甚至連經驗豐富的電源設計人員都使用這種方法。我們的終目標是通過放慢晶體管的通斷速度，使電磁干擾降低至可接受的水平，同時-其溫度足夠低以-穩定性。
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分布式電源供電系統采用小功率模塊和-控制集成電路作基本部件，利用理論和技術成果，訂做電源模塊，組成積木式、智能化的大功率供電電源，從而使強電與弱電緊密結合，降低大功率元器件、大功率裝置(集中式)的研制壓力，提高生產效率。八十年代初期，對分布式高頻開關電源系統的研究基本集中在變換器并聯技術的研究上。八十年代中后期，隨著高頻功率變換技術的迅述發展，各種變換器拓撲結構相繼出現，結合-集成電路和功率元器件技術，使中小功率裝置的集成成為可能，電源模塊，從而迅速地了分布式高頻開關電源系統研究的展開。自八十年代后期開始，這一方向已成為國際電力電子學界的研究-，定制電源模塊，數量逐年增加，應用領域不斷擴大。
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