2017
年我們看到---在《關于推進光伏發電“者”計劃實施和2017年基地建設有關要求的通知》中進一步推出者“技術”，要求轉化效率達到單/多晶轉化效率達到18.9%/18%以上，滿分需要19.4%/20.4%的轉化效率。單晶硅的制法通常是先制得多晶硅或無定形硅，然后用直拉法或懸浮區熔法從熔體中生長出棒狀單晶硅。并鼓勵---電池技術參加，其中包括雙面電池技術。近振鑫焱公司在光伏-上提到應該將雙面電池的背面效率按照5%的效率界定為全組件效率，我們認為如果可以將背面的轉化效率直接界定為組件發電瓦數，則有望直接帶來雙面雙玻組件的成本優勢直觀體現(每瓦成本下降)，帶動-應用。
工藝用于太陽能電池片生產制造過程中，通過化學腐蝕法也即把硅片放在溶液中浸泡，使其產生化學反應生成可溶性的絡和物，以去除擴散制結后在硅片表面形成的一層磷硅玻璃。當電流通過導線作用于這個晶片的時候，電子就會被推向p區，在p區里電子跟空穴復合，然后就會以光子的形式發出能量，這就是led發光的原理。在擴散過程中，pocl3與o2反應生成p2o5淀積在硅片表面。p2o5與si反應又生成sio2和磷原子，這樣就在硅片表面形成一層含有磷元素的sio2，稱之為磷硅玻璃。
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