陶瓷電容-緯迪電容器生產公司-安規電容 陶瓷電容

電容器去耦作用了解多少

一是集成電路的蓄能電容，

二是對器件的高頻噪聲進行旁路去除。

在數字電路中，去耦電容通常為0.1μf。這種電容的分布電感值通常為5nh。該去耦電容具有5nh的分散電感，其共振頻率約為7mhz，即對低于10mhz的噪聲具有較好的去耦效果，但對大于40mhz的噪聲幾乎不起作用。電容值為1μf,10μf，共振頻率大于20mhz，對高頻噪聲有較好的去除效果。大約每10片集成電路需要增加一個充放電電容，或者一個儲能電容，10μf左右可選。不用電解電容，電解電容是由兩層薄膜卷起，這種卷起結構在高頻表現為電感。請用鉭或聚---電容。對電容的選擇并不嚴格，可以用c=1/f表示，即10mhz為0.1μf,100mhz為0.01μf。

陶瓷電容器失效的外部因素有哪些？

1、溫度沖擊裂紋。

主要是焊接時溫度沖擊造成的，尤其是波峰焊，修補不當也是造成溫度沖擊裂紋的重要原因。

2、機械應力裂紋。

多層陶瓷電容器的特點是能承受較大的壓應力，但抗彎性能較差。在器件組裝過程中，任何可能導致彎曲變形的操作都可能導致器件破l裂。常見的應力來源有:芯片對準，工藝中的電路板操作；流通過程中的人、設備、重力等因素；插入通孔組件；電路測試，單板分段；電路板安裝；電路板定位鉚接；螺絲安裝等。