半導體熱敏電阻。半導體熱敏電阻的特點是靈敏度高，體積小，反應快，它是利用半導體的電阻值隨溫度-變化的特性制成的。可分為三種類型：(1)ntc熱敏電阻，主要是mn，co，ni，傳感器配件價格，fe等金屬的氧 化物燒結而成，具有負溫度系數。(2)ctr熱敏電阻，用v，ge，w，p等元素的氧 化物在弱還原氣氛中形成燒結體，它也是具有負溫度系數的。(3)ptc熱敏電阻，以鈦酸鋇摻和稀土元素燒結而成的半導體陶瓷元件，具有正溫度系數。也正是因為ptc熱敏電阻具有正溫度系數，也制作成溫度控制開關。
非接觸式溫度傳感器。非接觸式溫度傳感器的測溫傳感器配件與被測物體互不接觸。目前 常用的是輻射熱交換原理。這種測溫方法的主要特點是：可測量運動狀態的小目標及熱容量小或變化迅速的對象，也可用來測量溫度場的溫度分布，但受環境溫度影響比較大。
拉裂的解決對策
傳感器配件如果出現了拉裂的問題，需要對拉伸模具的壓邊圈平衡塊的高度進行調整，適應設備精度的偏差和凹凸模的間隙，從而實現受力均衡。其次，由于凹模的圓角半徑如果過小很容易出現拉裂的問題，為此需要加大凹模的圓角半徑來提升拉裂的程度。還可以改變拉深的前沖壓型料的形狀，發揮出工藝切口的優點，減少由于材料堆積所造成的拉裂問題，或者可以改變拉伸筋條的位置和形狀，根據材料的變薄率來使用半圓筋條或者是梯形筋條。
目前mems封裝包括三個級別：芯片封裝、器件封裝和系統封裝。芯片級封裝包括組裝和保護微型裝置中的敏感元件，避免發生變形或。器件級封裝包括mems芯片和信號調理電路。系統級封裝包含mems芯片器件和主要的信號處理電路，能夠屏蔽電磁、熱或震動的影響。mems封裝技術主要包括單芯片封裝、多芯片組件和倒裝焊等技術。單芯片封裝屬于器件級封裝的范疇，是指在一塊芯片上制作保護層，將易損壞的元器件和電路屏蔽起來，避免環境對其造成的不利影響。多芯片組件屬于系統級封裝，傳感器配件定做，是指在一個封裝體中包含兩個或兩個以上的芯片。它們通過基板互連，構成整個系統的封裝形式。倒裝焊是將芯片正面朝下，并與封裝基板鍵合的一種封裝方式。由于芯片與基板直接相連，實現了封裝的小型化和輕便化。
1)封裝過程
將封裝后的處理器芯片與溫濕度傳感器混合封裝在同一塊基板上，構成整個系統的封裝形式。為避免芯片受外力損壞，采用封裝管殼提供保護。在封裝管殼上留有三個梯形透氣窗口，可以-封裝內部溫濕度傳感器敏感元件接觸到的空氣與外界環境保持一致。
集成系統的封裝過程如下：
(1)將鉑電阻溫度傳感器與電容濕度傳感器芯片粘貼在基板上的區域，然后將粘貼好芯片的基板放置在烘箱中，以一定的溫度和時間烘干，滁州傳感器配件，使芯片粘貼膠固化。
(2)采用鍵合機將傳感器的電極與基板壓焊塊進行引線鍵合，實現兩者之間的電氣連接。
(3)連接完成后將黑膠滴在鍵合線上保護鍵合線，放入烘箱后設定溫度為120℃，時間為4分鐘，直至鍵合線上的保護膠固化。
2)集成封裝管殼設計
集成系統封裝時除了需要考慮隔離外力和機械支撐的作用外，還應該實現封裝內外的溫濕度交換，即-封裝內部溫濕度傳感器敏感元件接觸到的環境與外界環境保持一致。
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