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在所有應(yīng)用產(chǎn)業(yè)中,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)對靶材濺射薄膜的品質(zhì)要求是苛刻的。如今12英寸300衄口的硅晶片已制造出來.而互連線的寬度卻在減小。硅片制造商對靶材的要求是大尺寸、高純度、低偏析和細晶粒,銀合金靶材報價,這就要求所制造的靶材具有---的微觀結(jié)構(gòu)。靶材的結(jié)晶粒子直徑和均勻性已被認為是影響薄膜沉積率的關(guān)鍵因素。另外,薄膜的純度與靶材的純度關(guān)系---,過99.995%4n5純度的銅靶,或許能夠滿足半導(dǎo)體廠商0.35pm工藝的需求,但是卻無法滿足如今0.25um的工藝要求。
 
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