氧化鋅zno是ⅱ-ⅵ族纖鋅礦結構的半導體材料，氧化鋅晶體單晶批發，禁帶寬度為3.37ev；另外，其激子束縛能(60mev)比gan(24mev)、zns(39mev)。大尺寸氧化鋅晶體的形態可控生長的關鍵是控制成核和生長過程。晶核的結晶形態決定著晶體的形態，生長過程的環境條件也影響著晶體的生長過程。zno是一種典型的寬帶隙半導體材料，高zno晶體的生長具有非常重要的研究意義。目前，zno晶體的生長方法主要有氣相法，水熱法和助熔劑法。
在各種具有四面體結構的半導體材料中，氧化鋅晶體，氧化鋅有著高的壓電張量。該特性使得氧化鋅成為機械電耦合重要的材料之一。改變正交表中的四個因素煅燒時間、分散介質、鋅銨比和煅燒溫度，氧化鋅的粒徑和形貌不斷變化，但晶型保持不變。助熔劑法是利用助熔劑使晶體形成溫度較低的飽和熔體，通過緩慢冷卻或在恒定溫度下通過蒸發熔劑，氧化鋅晶體單晶襯底基片，使熔體過飽和而結晶的方法。
以---和naoh為原料，在水熱條件下成功制備出梭狀、片狀和棒狀的納米級氧化鋅晶體，確定了適宜的反應條件，實現了納米氧化鋅形貌的可控制備；制備出具有---紅外吸收特性的鐵元素和鈷元素摻雜的納米級片狀氧化鋅晶體。通過大尺寸氧化鋅晶體的照片研究表明，晶體像一根長針，說明晶體沿一個方向生長，從xrd看出，氧化鋅晶體批發，(000ι)為主要生長方向，這與通常---的氧化鋅具有沿+c軸取向生長的機理相同。氧化鋅晶體作為新一代寬禁帶、直接帶隙的多功能ⅱ-ⅵ族半導體材料，具有優良的光電、導電、壓電、氣敏、壓敏等特性。
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