不同pedot核殼分散體的制備總結
聚3，4-乙撐二氧s吩pedot由于其高導電性、低能隙、優異的薄膜透明性以及環境穩定性在抗靜電涂層、光電子器件、電容器、電磁屏蔽、傳感器、金屬防腐等領域具有廣闊的應用前景，導電聚合物公司，然而其不溶問題---了其應用。除了在單體水相聚合時加入聚by烯磺酸pss制備pedot分散體外，許多研究者也開始探索其他方法，如制備pedot與其他物質的核殼分散體。本文將對主要幾種pedot核殼分散體的制備進行總結。
在這些復合使用的材料中，導電高分子pedot/pss由于具有與絕大多數有機物匹配的功函數，以及---的導電性和光透過率，且可以采用溶液法/印刷工藝制程。然而pedot/pss的導電性能難以滿足oled等元器件對透明電極的要求，單獨作為透明電極使用尚需要長時 間的技術突破。納米銀線與pedot/pss兩種材料的復合使用可以將兩種導電材料的性質互相取長補短，即在---電導率的同時，導電聚合物，又可以解決能級匹配的問題，同時pedot/pss也可以用于---納米銀線材料涂布時表面的不均勻性，為未來柔性器件領域-量產透明電極提供了一種新型的解決方案。
調控導電高分子對陰離子的分子結構來調控對陰離子的位阻，導電聚合物廠家，實現了薄膜自抑制法聚合sip新工藝，獲得了可應用的pedot厚膜材料，使得便捷制備微米級高電導率>103 s/cmpedot薄膜成為可能。在此研究基礎上，在自抑制效果下實現了高膜厚無氣孔pedot:dbsa-te點復合薄膜的同步生成。通過新型fe(iii)氧化劑的自抑制作用，實現了pedot基體對均勻分散te顆粒的緊密包覆，成功抑制了te納米顆粒的氧化。
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